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第 3期 周 围,等:磁控溅射 NI56Mn2Gal合金薄膜的光学反射特性研究 ·79 ‘
光波的波长在300~800am之间变化时,薄膜的反射率均随波长的增大而增大;但在200~800am整体
波长范围内时,退火温度高的试样反射率反而低。根据以往研究结果,光学薄膜的反射率与薄膜表面粗
糙度密切相关[13]。Beckman标量散射理论[1]认为,光学薄膜反射率与均方根粗糙度之间的关系可表
示为:
RR0exp[一丢()] ㈤
式中R 为表面粗糙薄膜的反射率,R0为光滑表面薄膜的反射率,r/为人射光线所在介质的折射率 (本文
为空气介质, 一1),为波长,为薄膜表面均方根粗糙度。由此可知,表面粗糙薄膜的反射率与其均方
根粗糙度成反比。由于不同退火处理条件下NiMn2Ga薄膜试样的表面均方根粗糙度是不同的,且随
退火温度的升高薄膜表面粗糙度增大,因此,在200~800nm整体波长范围内,退火温度高的试样光学反
射率低。从图3还可以看出,不同退火温度下,薄膜的反射率发生较大变化,当入射光波波长为 800nm
时,经 1023K退火 1h试样与经873K退火 lh试样的反射率相差大于20 。而
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