粗糙侧壁对硅通孔互连结构高频性能的影响（英文）.pdfVIP

第 13卷 第 18期 2013年6月 科 学 技 术 与 工 程 Vol_13 No．18 Jun．2013 l67l一1815(2013118—5339-06 ScienceTechnologyandEngineering @ 2013 Sci．Teeh．Engrg． 通信技术 粗糙侧壁对硅通孔互连结构高频性能的影响 王 志 庞 诚 ，平 野 任晓黎 于大全 ，。 (中国科学院微电子研究所 ，北京 100029；江苏物联网研究发展中心 ，无锡 214135) 摘 要 详细分析了由Bosch刻蚀形成的侧壁形貌的粗糙度 (SidewallRoughness)对硅通孔(TSV)互连结构高频性能的影响， 并通过全波电磁场仿真软件HFSS将粗糙侧壁TSV互连结构与平滑侧壁TSV互连结构的传输特性进行 了详尽的对 比。仿真 结果显示，在相同的条件下，粗糙侧壁TSV结构的插入损耗比光滑侧壁 V结构增加了15％，并且随着侧壁形貌粗糙度的增 加， V互连结构的高频性能恶化更加严重。最后，通过对二氧化硅绝缘层厚度和TSV直径对TSV互连结构高频性能的影 响，