4英寸VB锗单晶生长技术研究.pdfVIP

摘要 在近几年时间里，航天技术获得飞速发展，对空间太阳电池提出了更高的要 求。和传统的硅太阳电池相比，GaAs太阳电池具有高转换效率、耐辐射、温度特 性好和寿命长等优点。但GaAs晶片机械强度小，而且单晶生长工艺困难，很难获 得大尺寸结构完整的单晶，GaAs晶片无法满足空间太阳电池用衬底片的要求。 锗单晶的晶格常数为0．56579nm，GaAs晶格常数为0．56534nm，晶格失配仅 底上制备GaAs太阳电池的结果进行了比较，认为在锗衬底上制备的GaAs太阳电池 具有更好的综合性能。Derluyn等也做了相同的研究。目前，转换效率达19％的 单结GaAs／Ge太阳电池和转换效率达28％的GaAs／Ge基多结太阳电池已经实现批 量生产，而且在空间得到应用。 为提高GaAs／Ge太阳电池转换效率，满足空间使用要求，对衬底锗片提出更 高要求，要求大尺寸(4英寸以上)，低位错密度(小于3000／cm2，最好是无位错)， 高掺杂，高机械强度等。由于锗单晶热导率小，单晶内热量难以导出，容易产生 较大热应力，而且产生位错的临界剪切应力比较小，因此，大直径锗单晶很容易 产生位错并增殖。 目前，生长大直径低位错锗单晶的主要方法有直拉法(Cz)和垂直梯度凝固法 (VGF)。本文采用VB工艺进行太阳能电池用锗单晶衬底材料的研制。通过对VB锗 单晶生长所需加热器的设计及热场温度分布的调试和精确控制、引晶技术研究、 掺杂浓度及其均匀性控制研究、降低位错密度工艺技术研究，制备出了满足用户 需求的N型和P型4英寸锗单晶材料。 该研究的创新之处在于：在国内首次采用VB工艺进行锗单晶材料的研究；首 次使用pBN坩埚进行锗单晶材料的研究；在锗单晶生长工艺中使用B：0。来保证引晶 及成晶率。 关键词： VB锗单晶热场掺杂位错密度 ABSTI溃CT Inthe few the of has past years，withrapiddevelopmentspacetechnology,there forward for SOlar andit’Sconversion put higherrequirementsspace cells’quality totraditionalsiliconSOlar solarcellswith compared ceils．GaAs efticiency．And high conversion resistanceand characteristicsand efficiency,radiationgoodtemperature in longlifetime，lowerperformancedegradationspace GaAs smallmechanical is chip’S strength,andcomplicatedcrystalgrowthprocess．it obtain be difficulttO higherquality cannot met largesinglecryst乩GaAschip by solarsubstrate． space Germaniumlatticeconstantis 0．56579 latticeconstantis crystal rim,Ga