电子和空穴消失的过程热平衡状态：在一定温度下,载流子.pptVIP

载流子的产生： 电子和空穴的生成过程 载流子的复合： 电子和空穴消失的过程 热平衡状态： 在一定温度下，载流子的产生和复合两个相反过程之间保持一种动态平衡，使得导带中电子数目和价带空穴数目保持不变。 这里，无论是导带电子还是价带空穴，都是借助于热激发产生的，就是说杂质电离或本征激发所需的能量都是来自热运动的能量，这种载流子称为热平衡载流子（n0,p0） 非平衡载流子 准Fermi能级 寿命问题 直接复合理论 Ex. 设有受主浓度为 的p型硅，其本征载流子浓度为 。若注入在正x区域内产生的非平衡载流子浓度为 ，计算在x=0处电子和空穴的浓度，并说明是大注入还是小注入（假设杂质全部电离）。 非平衡载流子 准Fermi能级 寿命问题 直接复合理论 准Fermi能级 准Fermi能级： 准Fermi能级偏离了热平衡状态时系统的Fermi能级 非平衡载流子越多，准Fermi能级偏离Fermi能级越远 电子的准Fermi能级和空穴的准Fermi能级对Fermi能级的偏离程度不同 电子的准Fermi能级和空穴的准Fermi能级的差值直接反映出半导体偏离热平衡状态的程度 非平衡载流子 准Fermi能级 寿命问题 直接复合理论 一块载流子均匀分布的半导体 在t 0时，处于热平衡态（统一的Fermi能级 ） 在t = 0时，开始进行光照，假设光子被均匀地吸收，并在半导体建立起非平衡载流子，经历一段时间后达到稳态（电子和空穴各自的Fermi能级 ） 在t = t1时，光照撤除 在t t1时，经历一段时间后，样品重新回到热平衡态 寿命问题 寿命问题： 浓度衰减到原来值的1/e时所需要的时间 Ex1. 半导体中过剩空穴的浓度为 ，寿命为1us，在t=0时产生过剩载流子的外部作用停止，试求以下时刻过剩空穴的浓度：（a）t=0（b）t=4us 非平衡载流子 准Fermi能级 寿命问题 直接复合理论 复合理论 按复合过程可分为 直接复合：电子在导带和价带之间的直接跃迁，引起电子和空穴的直接复合 间接复合：电子和空穴通过禁带的能级（复合中心）进行复合 直接复合 产生率G 单位时间、单位体积内所产生的电子-空穴对的数目 复合率R 单位时间、单位体积内所复合掉电子-空穴对的数目 产生率： 价带基本上是满的，导带基本上是空的，因此产生率G（激发几率）不受载流子浓度n和p的影响，它仅是温度的函数 非平衡载流子的寿命为 Ex.: 6 * 非平衡状态： 对半导体施加外界作用（如光照），迫使它处于与热平衡状态相偏离的状态，此状态称为非平衡状态 处于非平衡状态的载流子不再是n0,p0，可以比它们多出一部分，多出的这部分载流子称为非平衡载流子（也称为过剩载流子） 光照 hvEg Eg hv Ec Ev Δp Δn 讨论非平衡状态下,非平衡载流子的产生、复合以及它们的运动规律 （非平衡载流子的概念及特性） n型半导体：n0p0 光照：产生非平衡载流子 非平衡电子：非平衡多数载流子 非平衡空穴：非平衡少数载流子 一般而言，非平衡载流子浓度比平衡时的多数载流子浓度小得多 在某n型Si中，n0=5.5*1015, p0=3.1*104，若 ，则为小注入 小注入 热平衡状态： 非平衡状态： ① ② ① ② 可见： 非平衡载流子越多，准Fermi能级偏离EF越远 和 偏离EF的程度不同 由②得 ，即 和 的差值直接反映出半导体偏离热平衡状态的程度 则 在 上方 与 的偏离甚小 则 在 下方 与 的偏离甚大 n型: 小注入 ① ② ① ② 寿命： 当产生非平衡载流子的外部作用撤销后，非平衡载流子并不是立刻消失，而是有一定的生存时间 其平均生存时间称为非平衡载流子的寿命，记为 则 表示单位时间内非平衡载流子的复合概率 复合率： 单位时间、单位体积内净复合消失的电子-空穴对的数目称为非平衡载流子的复合率 假定一n型半导体受光照在体内均匀地产生非平衡载流子 在t=0时刻，光照突然停止， 则非平衡载流子将随时间减少，其减少率为 它是由复合引起的，因此减小率应该等于复合率，即 非平衡载流子随时间的衰减形式：指数衰减 非平衡载流子浓度减小到原来值的1/e时所需要的时间称为非平衡载流子的寿命 寿命标记着非平衡载流子衰减的快慢，寿命越短，衰减越快 Ex.: 4 Ex2. 利用上题中的参数计算以下时