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半导体二极管 半导体基本知识 ＰＮ结的形成及特性 主要参数 二极管应用电路 公司产品讲解 1.半导体的基本知识 1．半导体的导电性能介于导体和绝缘体之间。 （1）本征半导体是完全纯净的半导体; 本征半导体经过掺杂就形成杂质半导体 （2）两种杂质半导体：N型---掺入微量五价元素；P型---掺入微量三价元素。（3）两种浓度不等的载流子：多子---由掺杂形成，少子---由热激发产生。（4）一般情况下，只要掺入极少量的杂质，所增加的多子浓度就会远大于室温条件下。所以，杂质半导体的导电率高。（5）杂质半导体呈电中性。 2. 半导体中载流子的运动方式（1）漂移运动---载流子在外加电场作用下的定向移动。（2）扩散运动---因浓度梯度引起载流子的定向运动。 （1）正向特性(外加正向电压)　　当正向电压超过某一数值后，二极管才有明显的正向电流，该电压值称为导通电压，用Ｖth表示。 在室温下，硅管的Ｖth约为0.5V。 （2）反向特性(外加反向电压)　　在反向电压小于反向击穿电压的范围内，由少数载流子形成的反向电流很小，而且与反向电压的大小基本无关。 （3）反向击穿特性　　当反向电压增加到某一数值ＶBR时，反向电流急剧增大，这种现象叫做二极管的反向击穿。 反向击穿特性 PN结击穿有齐纳击穿、雪崩击穿及热击穿。 齐纳击穿和雪崩击穿都是电击穿，电压降低后PN结完好如初。齐纳击穿很好的用途就是稳压。 热击穿是指温度超过了PN结的允许温度发生了物理性的击穿，温度恢复后PN结要么性能改变、要么彻底损坏。电击穿不加电流限制就会同时发生热击穿，PN就是这样损坏的。 结的反向击穿电压取决于耗尽区的宽度。耗尽区越宽需要越高的击穿电压。掺杂的越轻，耗尽区越宽，击穿电压越高。 2.4.1．势垒电容 耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势 垒电容Cb. 3.主要参数 4.二极管应用电路 （1）限幅电路---利用二极管单向导电性和导通后两端电压基本不变的特点组成，将信号限定在某一范围中变化。多用于信号处理电路中。 （2）箝位电路---将输出电压箝位在一定数值上。（3）开关电路---利用二极管单向导电性以接通和断开电路，广泛用于数字电路中。（4）整流电路---利用二极管单向导电性，将交流信号变为直流信号，广泛用于直流稳压电源中。（5）低电压稳压电路---利用二极管导通后两端电压基本不变的特点，采用几只二极管串联，获得3V以下输出电压 5.公司产品讲解 二极管分类 5.1稳压二极管 Zener Diode 工作原理 　稳压管是一种特殊的二极管，稳压二极管的特性曲线与普通二极管基本相似，只是稳压二极管的反向特性曲线比较陡它利用ＰＮ结反向击穿后特性陡直的特点，在电路中起稳压作用。稳压管工作在反向击穿状态。 ZENER管的动态电阻 ZZ = d(UZ)/d(IZ) ，ZZ越小越好； 5.2 变容二极管 Varactor Diode 变容二极管 : 利用势垒电容做成变容二极管 . 二极管的PN结具有结电容，当加反向电压时，阻挡层加厚，结电容减小，所以改变反向电压的大小可以改变PN结的结电容大小，这样二极管就可以作为可变电容器用 . 5.3 开关二极管Switching Diodes 二极管正偏时导通，相当于开关的接通；反偏时截止，相当于开关的断开，表明二极管具有开关特性。 开关二极管原理与普通二极管相同，专门用来做开关用的二极管, 它由导通变成截止或由截止变成导通所用的时间比一般二极管短 . 开关速度快（频率高），结电容小 。 5.4 肖特基二极管 Schottky diode * * * 概述 + - - - - - - - - - - - - - + + + + + + + + + + + + 电子 空穴 N P - - - - - - - - - - - - + + + + + + + + + + + + 内电场 N P 得到一个电子的三价杂质离子带负电 失去1个电子的5价杂质离子，带正电 2.1 PN结的形成 浓度差 　　当Ｐ型半导体和Ｎ型半导体结合在一起的时侯，由于交界面处存在载流子浓度的差异→多子扩散→产生空间电荷区和内电场→内电场阻碍多子扩散，有利少子漂移。 当扩散和漂移达到动态平衡时，交界面形成稳定的空间电荷区，即ＰＮ结。 2.ＰＮ结的形成及特性 - - - + + + 内电场 N P I 外电场 内电场 I 外电场 - - - - - - - - - + + + + + + + + + N P 　　外加正向电压→多子向ＰＮ结移动，空间电荷区变窄，内电场减弱→扩散运动大于