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新型光电传感器 高速光电二极管 1. PIN结光电二极管 P I N P、N间加了层很厚的高电阻率 的本征半 导体I。P层做的很薄。 比普通的光电二极管施加较高的反偏压。 入射光照射在P层上， 由于P层很薄，大量的 光被较厚的I层吸收， 激发较多的载流子形 成光电流；又PIN结 光电二极管比PN结光 电二极管施加较高的反偏置电压，使其耗尽层加宽。当P型和N型半导体结合后，在交界处形成电子和空穴的浓度差别，因此，N区的电子要向P区扩散，P区空穴向N区扩散。 PIN光电二极管 偏压 价带 导带 信号光 信号光 电极 电极 输出端 P I N P区一边失去空穴，留下带负电的杂质离子，N区一边失去电子，留下带正电的杂质离子，在PN交界面形成空间电荷，即在交界处形成了很薄的空间电荷区，在该区域中，多数载流子已扩散到对方而复合掉，即消耗尽了，耗尽层的电阻率很高。扩散越强，耗尽层越宽，PN结内电场越强，加速了光电子的定向运动，大大减小了漂移时间，因而提高了响应速度。PIN结光电二极管仍然具有一般PN结光电二极管的线性特性。 2.雪崩式光电二极管（APD） 在PN结的P区外增加一层掺杂浓度极高的P +层，且在其上加上高反偏压。 偏压 输出端 价带 导带 信号光 信号光 电极 电极 P+ I N 雪崩式二极管 当光入射到PN结时， 光子被吸收