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第七讲 铁电陶瓷 电介质陶瓷 压电陶瓷 铁电陶瓷 ——以前课内容? 电介质的基本概念 材料可按其对外电场的响应方式区分为两类，一类是以电荷长程迁移即传导的方式对外电场作出响应，这类材料称为导电材料。 另一类以感应的方式对外电场作出响应，即沿着电场方向产生电偶极矩或电偶极矩的改变，这类材料称为电介质，这种现象称为电介质的极化。 电介质的极化有三种主要基本过程 ——材料中原子核外电子云畸变产生的电子极化；分子中正、负离子相对位移造成的离子极化和分子固有电矩在外电场作用下转动导致的转向极化。 电介质又分为非极性电介质和极性电介质两大类。 前者由非极性分子组成，在无外电场时分子的正负电荷重心互相重合，不具有电偶极矩。只是在外电场作用下正负电荷出现相对位移，才出现电偶极矩。 后者由极性分子组成，即使在无外场时每个分子的正负电荷重心也不互相重合，具有固有电矩，它与铁电性有密切关系。 铁电体（ferroelectrics）是电介质（Dielectric）的一个亚类; 由于自身结构的原因，铁电体同时具有压电性和热释电性; 此外一些铁电晶体还具有非线性光学效应、电光效应、声光效应、光折变效应等。 这是为什么呢? 按照其对称性，晶体可分为7大晶系，32种点群.。 其中有20种点群不具有中心对称，它们的电偶极矩可因弹性形变而改变，因而具有压电性并称为压电体。 在压电体中具有唯一极轴（又称为自发极化轴）的10种点群可出现自发极化，即在无外电场存在的情况下也存在电极化。它们因受热产生电荷，故称为热释电体。 在这些极性晶体中，因外加电场作用而改变自发极化方向的晶体便是铁电体。 因此，凡是铁电体必然是热释电体，而热释电体也必然是压电体。 铁电体的两个特点是：一是具有电滞回线，另一个是具有许多电畴。所谓电畴就是在一个电畴范围内永久偶极矩的取向都一致。 因此凡具有电畴和电滞回线的介电材料就称为铁电体。 铁电体的电滞回线 电滞回线是铁电体的一个特征。它表示铁电晶体中存在电畴。它是铁电体的极化强度P随外加电场强度E的变化轨迹。 饱和极化强度Ps 剩余极化强度Pr 矫顽电场强度Ec 铁电材料的其他效应 压电效应 piezoelectric effect 电致伸缩效应 electrostrictive effect 热释电效应 pyroelectric effect 继续 相关的晶体结构 1. 铁电材料的钙钛矿结构 离子A、B、C的半径RA、RB、RO满足下列关系才能组成ABO3结构： RA+RO=√2 t （RB+RO） 式中t为容差因子，可以在0.9~1.1范围内，这样A离子半径约为1.00~1.40A，B离子半径约为0.45~0.75，氧离子半径为1.32A。 自发极化的本源 (不重点讲) 铁电陶瓷材料的应用 1、高介电常数的电容器（铅基铁电陶瓷） 2、陶瓷图像储存-显示器（PLZT陶瓷） 3、精密位移器和应力计（PMN基陶瓷） BaTiO3在室温附近（20℃）为铁电相，当温度高于居里温度（120℃），铁电相转变为顺电相。顺电相BaTiO3的结晶学原胞如图所示： 铁电存储器FRAM铁电存储器FRAM(Ferroelectric RAM) ※传统存储器铁电存储器相对于其它类型的半导体技术而言,铁电存储器具有一些独一无二的特性。传统的主流半导体存储器可以分为两类--易失性和非易失性。易失性的存储器包括静态存储器SRAM（static random access memory)和动态存储器DRAM （dynamic random access memory)。 SRAM和DRAM在掉电的时候均会失去保存的数据。 RAM 类型的存储器易于使用、性能好,可是它们同样会在掉电的情况下会失去所保存的数据。 非易失性存储器在掉电的情况下并不会丢失所存储的数据。然而所有的主流的非易失性存储器均源自于只读存储器（ROM）技术。 正如你所猜想的一样,被称为只读存储器的东西肯定不容易进行写入操作,而事实上是根本不能写入。所有由ROM技术研发出的存储器则都具有写入信息困难的特点。这些技术包括有EPROM (几乎已经废止）、EEPROM(或写为E2PROM)和Flash(闪存)。 这些存储器不仅写入速度慢,而且只能有限次的擦写,写入时功耗大。铁电存储器能兼容RAM的一切功能,并且和ROM技术一样,是一种非易失性的存储器。铁电存储器在这两类存储类型间搭起了一座跨越沟壑的桥梁--一种非易失性的RAM。与传统的非易失存储器相比,具有高速、低功耗、长寿命的特点。 ※铁电存储器技术原理当一个电场被加到铁电晶体时,中心原子顺着电场的方向在晶体里移动。当原子