纳米硅薄膜太阳电池本征层的制备及性能研究论文.doc

摘  要  随着第三代新型纳米薄膜太阳电池的问世，具有优良光电特性的纳米硅薄膜成 为当前光伏电池技术研究开发的热点。纳米硅薄膜材料不仅光敏性好，光暗电导比 高，而且跟非晶硅相比，其光电导在长时间光照下的衰减要小得多。更为重要的是 由于薄膜中纳米晶粒的量子尺寸效应，使得我们能够通过改变工艺参数调节晶粒大 小和晶化度来控制其光学带隙，从而实现薄膜渐变带隙的能带工程设计。 本论文主要采用射频磁控溅射的方法研究了纳米硅薄膜的制备工艺，在玻璃和 单晶硅衬底上分别制备出高质量的纳米硅薄膜，并且对纳米硅薄膜的量子特性，光 电特性以及电导机制进行了一定的理论分析。同时，利用X射线衍射分析（XRD）、 扫描电子显微技术（SEM）、傅立叶红外吸收光谱、紫外吸收光谱等现代微观分析手 段测试分析了样品的微观结构形貌、纳米晶粒尺寸大小、硅氢键合情况以及薄膜的 光学带隙，并从中总结出各种工艺参数（衬底温度，气体压强，H2比例等）对薄膜 各项性能的影响，从而摸索出一套比较理想的射频磁控溅射制备纳米硅薄膜的工艺 条件，为进一步纳米硅薄膜太阳电池的制备研究打下了坚实的基础。射频磁控溅射 工艺同传统的PECVD纳米硅薄膜制作工艺相比，避免了后期的退火或诱导晶化等工 序，简化了工艺流程；同时其较低的沉积温度使得纳米硅薄膜能在各种玻璃、塑料、 有机柔性衬底上沉积，更适合薄膜电池的发展及利用。  关键词：太阳电池