第12章金属-氧化物-半导体场效应晶体管：概念的深入.pptVIP

第12章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管：概念的深入 12.1 非理想效应 12.2 MOSFET按比例缩小理论 12.3 阈值电压的修正 12.4 附加电学特性 * 第12章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管：概念的深入 * 12.1.1 亚域值电导 12.1.2 沟道长度调制效应 12.1.3 迁移率变化 12.1.4 速度饱和 12.1.4 弹道输运 长沟器件： 短沟器件： 弹道输运，统计规律不再适用 高速器件 12.2.1 恒定电场按比例缩小 比例因子 器件和电路参数 k3 功率延时 k 电路延时 k2 器件功耗 1 功耗密度 1/k2 器件密度 电路参数效应 k 漂移电流 k 电容 k 耗尽区宽度 1 载流子速度 1 电场 器件参数效应 k 电压 1/k 掺杂浓度 k 器件尺寸 比例参数 12.2.2 阈值电压---一级近似 12.2.3 全部按比例缩小理论 12.3.1 短沟道效应 12.3.2 窄沟道效应 12.4.1 击穿电压 栅氧化层击穿 沟道雪崩击穿 寄生晶体管击穿 源漏穿通效应 12.4.3 通过离子注入进行阈值调整 离子注入工艺：被注入的杂质原子首先被离化，通过电场加速 获得高能量(25-200keV)。离子的穿透深度通常小于1um，离子 注入时，晶体严重损伤，必须用退火工艺修复损伤。 低剂量：调节器件特性 高剂量：形成欧姆接触