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等离子体刻蚀
集成电路的发展
1958年： 第一个锗集成电路
1961年： 集成8个元件
目前： 集成20亿个元件
对比：
第一台计算机（EN IAC ，1946），18000 只电子管, 重达30 吨, 占
地180 平方米, 耗电150 千瓦。
奔II芯片：7.5百万个晶体管
集成电路发展的基本规律
穆尔法则：硅集成电路单位面积上的晶体管数，每18个月翻
一番，特征尺寸下降一半。
集成度随时间的增长：
特征长度随时间的下降：
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集成电路制造与等离子体刻蚀
集成电路本质：微小晶体管，MOS场效应管的集成
微小晶体管，MOS场的制作：硅片上微结构制作槽、孔
早期工艺：化学液体腐蚀湿法工艺
5微米以上
缺点: (a)腐蚀性残液降低器件稳定性、寿命
(b)各向同性
(c)耗水量大（why）
(d)环境污染
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预腐蚀区域
抗腐蚀掩膜
实 际 腐 蚀 区
随着特征尺寸的下降，湿法工艺不能满足要求，寻求新的工艺
等离子体干法刻蚀，在1969引入半导体加工，在70年代开始广泛应
用。
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等离子体刻蚀工艺流程
(a)涂敷光胶掩膜，干化
(b )光胶掩膜曝光
(c )去除被曝光掩膜（显影）
(d )等离子体刻蚀
plasma
(e)去除光胶（灰化）
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等离子体刻蚀过程、原理：
刻蚀反应粒子的产生、输运
能量馈入
（ ）产生化学活性的带电粒子、中性自由基
1
（ ）反应粒子输运
2
（ ）带电粒子穿越鞘层加速
3
鞘层
（ ）反应粒子在刻蚀槽孔内输运、反应
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