硅基螺旋电感的建模分析及其设计的研究.pdfVIP

论文题目：硅基螺旋电感的建模分析及其设计研究 专 业：微电子学与固体电子学 硕 士 生：付秀娟 （签名） 指导教师：孙龙杰 （签名） 摘 要 随着集成电路技术的日益发展和移动通讯市场的快速增长，以CMOS 硅工艺为基础 的射频集成电路得到广泛的应用。射频集成电路的所有重要子单元中都要用到螺旋电 感。硅基螺旋电感的性能直接影响单元电路的整体性能，建立片上电感高频下精确快速 的物理模型及提高硅基片上螺旋电感的品质因数意义深远，片上电感的研究与设计十分 重要。 本文详细分析了硅集成电路中螺旋电感的损耗机制及高频效应，介绍了经典的单π 模型，并在单π 模型基础上对其进行了改进，并推导了改进的模型中参数的计算方法。 本文使用磁场仿真软件HFSS 对一组电感样品进行了模拟仿真，得到改进的模型在一定 的频率范围内能有效的用于片上电感的分析。 本文针对特殊结构的螺旋电感——差分结构螺旋电感进行建模和模型参数的提取 计算进行研究分析。将电感样品使用HFSS 软件的模拟仿真结果与使用模型的计算结果 进行比较，得到使用本文提出的模型能有效地模拟差分结构的螺旋电感。本文模拟分析 了电感参数对其性能的影响，从仿真的结果中总结了硅基螺旋电感的优化规则。 基于TSMC 0.18um CMOS 工艺采用本文提出的螺旋电感模型设计了以2.4GHz 为中 心频率的低噪声放大器，并对LNA 重要性能进行了模拟仿真，比较了使用理想电感和 使用片上电感时LNA 性能参数的变化，得到使用螺旋电感的LNA 在2.4GHz 时的性能 指标为：S11=-32dB，S12= -41dB ，S21=18dB ，S22=-22dB，噪声系数为2.4dB ，三阶交调 点为-6dBm，1dB 压缩点为15.6dBm，功耗约为12.6mW，满足了设计提出的指标要求。 关 键 词：硅基螺旋电感；品质因子；高频效应；低噪声放大器 研究类型：应用研究 Subject : Modeling Analysis and Design of Silicon-based Spiral Inductor Specialty : Microelectronic and Solid Electronics Name : Fu Xiujuan (Signature) Instructor : Sun Longjie (Signature) ABSTRACT With the development of integrated circuit technology and the rapidly growth of mobile communication market, radio frequency integrated circuit based on CMOS silicon process has been widely used. Spiral inductor is needed in all of the important subelement of the radio frequency integrated circuit. As the unit circuit performance is affected by the silicon-based spiral inductor driectly, it is of great significance to build a accurate and fast physically-based model at high frequency and improve the quality factor. The design of on-chip inductor becomes very important. In the paper, the lo