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工程科技與教育學刊 第七卷 第二期 民國九十九年四月 第 170~176 頁
Ag/ZnO 異質結構之製備與光催化特性分析
鍾心怡 1 2 1
、王瑞琪 、陳樹人
1. 國立高雄應用科技大學化學工程與材料工程系
2. 國立高雄大學化學工程與材料工程學系
E-mail: biochen@cc.kuas.edu.tw
摘 要
本研究以兩階段合成方式製備 Ag/ZnO 奈米異質結構,首先在鹼性溶液下,以醋酸鋅製備 ZnO 奈米粒
子,再把硝酸銀與NaBH4 加入ZnO 奈米粒子懸浮液,形成Ag/ZnO 奈米異質結構。掃描式電子顯微鏡(SEM)
的觀測顯示ZnO 奈米粒子直徑約20-30 nm ,X 射線繞射(XRD)分析顯示產物包括ZnO 與銀的單晶結構,且
沒有氧化銀。經過穿透式電子顯微鏡(TEM)的鑑定發現可確認銀粒子係附著在氧化鋅的表面,銀粒子粒徑約
為20 nm ;而Micro-Raman 的分析則確認產物具有ZnO 之鍵結,但沒有Zn 與Ag 或Ag 與O 之鍵結。由此
可知,銀粒子是依附在氧化鋅表面,並沒有摻入晶格。研究進一步發現:以波長365 nm 的光源進行光催化
反應時,Ag/ZnO 異質結構的光催化能力優於奈米ZnO ,當銀離子的添加濃度添加為3 mM 時,光催化效果
最佳,與沒有負載銀粒子的 ZnO 比較,光催化速率可提高 2.23 倍。Ag/ZnO 異質結構中的Ag 可能扮演捕
捉電子的功能,減緩ZnO 照光後電子-電洞對再結合,因而提高光催化速率。
關鍵詞: 奈米氧化鋅、光催化、光觸媒
1. 前 言
氧化鋅為六方纖鋅礦結構,其晶格常數為a = 3.2539 Å ,c = 5.2098 Å ,直接能隙約為3.37 eV ,有大的
激子束縛能,約 60 meV[1] ,屬於寬能隙半導體材料。可使用在陶瓷、氣體感測、光感測、光觸媒等應用上。
氧化鋅的改質可提高光觸媒活性,如摻雜之金屬[2,3]以及負載之貴金屬[4] ,這些改質之方法皆可改善
電子-電洞對之分離,藉由金屬元素來捕捉電子,使電子-電洞對不易再結合。可使用不同之方法製備負載金
屬元素之氧化鋅,如乾式法flame spray pyrolysis[5] 、化學氣相沉積法[6]及濕式法sol-gel 法、水熱法、水溶
液法。
乾式法缺點為無法大量製備,因此較著重於濕式法。sol-gel 法較著重於薄膜塗佈,可應用在光感測[7] 、
氣體感測[8]亦或者是探討其光學性質[9] ,較少應用在光觸媒。水熱法所合成銀粒徑較小,但由於需要在高
壓環境下,需要有高壓設備[10] 。Georgekutty R.等人研究利用水溶液法合成樣品其缺點為須經過高溫退火
才能形成負載銀氧化鋅[11] 。Zhou G. 等人研究為利用兩階段合成負載銀氧化鋅,之後需再經過退火才有較
好結晶性[4] 。Jing L.- Q.等人研究利用兩階段合成,以光還原法合成負載銀氧化鋅,需花費較長時間[12] 。
有鑒於此,本研究開發在低溫環境下以兩階段合成方式製備Ag/ZnO 奈米異質結構,不僅Ag/ZnO 奈米異質
結構尺寸小,而且可大量製備,來探討Ag/ZnO 的結構特性,銀添加濃度對光催化效率之影響。
©2010 National Kaohsiung University of Applied Sciences, ISSN 1813-3851
171 鍾心怡、王瑞琪、陳樹人
2. 材料和實驗方法
2.1 材料製備
醋酸鋅[(CH COO) Zn .2H O] 、氫氧化鉀(KOH) 、硝酸銀(AgNO ) 、氫硼化鈉(NaBH )和甲醇(CH OH)
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