GaN基微波半导体器件的研究进展.pdfVIP

2004 6 ( ) Jun. 2004 31 3 JOURNAL OF XIDIAN UNIVERSITY V l. 31 N . 3 GaN 杨 燕, 郝 跃, 张进城, 李培咸 (西安电子科技大学 微电子研究所, 陕西 西安 710071) : GaN 基微波器件以其优良的特性而在微波大功率方面具有 用潜力. 对GaN 半导体材料作了比 较和讨论, 说明了GaN 材料在微波大功率 用方面的优势, 并阐述了新型 GaN 基微波器件的最新进展, 通过与其他微波器件的比较表明了GaN 调制掺杂场效 晶体管在微波大功率 用方面所具有的明显优 势. : GaN; 微波大功率; 调制掺杂场效 晶体管 :TN304 : A : 1001-2400( 2004) 03-0367-06