半导体单晶生长过程中位错的研究.pdfVIP

　第 36卷 第 2 期 　 　　 　　　　　　人 　工 　晶 　体 　学 　报　　　 　　　　　Vol. 36　No. 2 　 2007年 4 月 　　　　　　　　　 JOURNAL OF SYN TH ETIC CRYSTAL S 　　　　　　　　　 Ap ril, 2007 　 半导体单晶生长过程中的位错研究 1 2 1 1 张国栋 , 翟慎秋 , 崔红卫 , 刘俊成 ( 1. 山东理工大学材料科学与工程学院 ,淄博 255049; 2. 山东理工大学工程技术学院 ,淄博 255049) 摘要 :阐述了现有的半导体单晶位错模型 ,即临界切应力模型和粘塑性模型的基本理论及应用状况 。分析了