射频激发热丝化学气相沉积制备硅薄膜过程中光发射谱的研究.pdfVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 60 ，No. 1 (2011) 018103 射频激发热丝化学气相沉积制备硅薄膜 过程中光发射谱的研究*  李天微 刘丰珍 朱美芳 ( ， 100049) 中国科学院研究生院材料学院 北京 (20 10 4 12 ;20 10 4 20 ) 年 月 日收到 年 月 日收到修改稿 (rf) ， (HWCVD) ， rf 采用射频 激发 在热丝化学气相沉积 制备微晶硅薄膜的过程中产生发光基元 测量了 激发 HWCVD (rf-HWCVD) ， rf-HWCVD CVD (PECVD) ， 的光发射谱 比较了相同工艺条件下 和等离子体增强 的光发射谱 rf 、 rf-HWCVD . ， 0. 1W / cm2 ，rf- 分析了 功率 热丝温度和沉积气压对 光发射谱的影响 结果表明 在射频功率 时 HWCVD HWCVD ， 发射光谱反映了 高的气体分解效率和高浓度原子氢的特点 能够解释气压变化与微晶硅薄膜微 ， HWCVD . 结构的关系 是研究 气相过程的有效方法之一 关键词:HWCVD ，OES ，微晶硅 PACS :81. 15 . Gh ，68. 55 .－ a LIF)［10 ］ ， HWCVD 技术 成功地在 制备硅薄膜的气相 Si ，SiH ，Si H ， 1. 引 言 中探测到 3 2 x 等基元 但由于光子能量的 ， H . ， 限制 难以探测到 的信号 与间接诱导发光不同 HWCVD ， 质谱仪是唯一能够实现直接测量的技术. Matsumura 是薄膜制备的常用技术 由于具有设 ［1］ ［10 ］ HWCVD 、 ， 、 等 采用质谱仪测量了不同沉积参数下 备结构简单 气体分解充分等特点 在金刚石膜 ［2 ］ ［3 ］