GaInPInGaAsGe三结叠层太阳电池光电流改进.pdfVIP

涂洁磊1,2张忠卫1王亮兴1池卫英1陈超奇1陈鸣波1万斌1曾隆月1 1．上海空间电源研究所， 2．云南师范大学太阳能研究所 上海苍梧路388号，上海空间电源研究所，邮编：200233，km-tjl@263．net GainP顶电池I昨结构设计改进，以及宽禁带隧穿结材料的选用，显著提高电池短路电流密度Jsc，达到16．5。 0引言 GalnP／(In)GaAs／Ge三结叠层太阳电池应用广泛眦1，目前最高效率29．7％【3】o 阳电池为单片式两端叠层电池，其各子电池电学上为串联连接，电压为子电池电压之和Vl+Ⅵ+％，减去隧 所以，欲提高电池的整体电流，关键在于提高各子电池电流，同时改进子电池间的电流匹配。本文将从太 阳电池的光学性能入手，讨论材料选择及n／p结构设计对电池性能，特别是光电流的影响。 1理论计算与分析 1．1 Ge电池窗口层设计 G色电池厚度～170pro，仅能吸收能量小 表1 不同窗口层材料Ge底电池性能比较 于1．424eV的光子)，则Jph=37．0mA／cm2， withdifferentwindowmaterials