巨磁阻传感器原理的应用1.pptVIP

巨磁阻传感器原理及应用 巨磁阻(GMR)效应 GMR效应的理论和机理 GMR效应的理论和机理 GMR效应的理论很复杂，许多机理至今还不清楚，目前普遍接受的解释是两流模型，如图1所示。多个铁磁层中的磁矩方向由施加的外磁场控制，当铁磁性层的磁矩反平行排列时见图1(a)，载流子受到的自旋散射最大，多层膜电阻最高；当铁磁性层的磁矩平行排列时见图1(b)，载流子受到的自旋散射最小，多层膜的电阻最低 巨磁阻(GMR)的电子特性 图2是一个典型的多层GMR材料在外加磁场下的电阻变化情况。图2中的输出表明，无论是正向还是反向的外加磁场变化，都能带来相同的磁阻变化，也就是说GMR效应是全极性的。曲线的斜率体现了磁性敏感程度，通常以V(mV)／Oe为单位。当阻值不随磁场继续变化时，磁性材料就达到了其磁性饱和区。两条曲线中的偏移是磁性材料的磁滞导致的，从零磁场到饱和磁场所带来的阻值变化就称为磁阻。 巨磁阻传感器应用 一：硬盘巨磁阻效应的读出磁头 ：极大的提高了磁盘记录密度，极大提高了硬盘的容量，同时缩小了硬盘的体积。目前硬盘最大容量已经达到4TB。远远大于应用巨磁阻效应前的硬盘。 巨磁阻传感器应用 二：角度、位置传感器 ，用于数控机床、汽车测速、非接触开关、旋转编码器等领域 。具有功耗小、可靠性高、体积小、价格便宜和更强的输出信号等优点 。如图英飞凌