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- 2017-09-04 发布于安徽
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工艺参数对单晶硅太阳能电池性能的影响
1.1 硅片的表面处理
不管是硅片的前期加工,留下的损伤层。还是在原硅片制作为太阳能电池的生产工艺中,都需要对硅片表面进行处理,其中是主要的包括表面去损伤层和硅表面制绒。
1.1.1 表面损伤层
在切割、研磨和抛光过程中,均使晶片表面产生一层损伤层。尤其在切割和研磨过程中,晶片表面形成一个晶格高度扭曲层和一个较深的弹性变形层。迟火或扩散加热时,弹性应力消失,但产生高密度位错层。切、磨、抛过程中引进的二次缺陷,比生长单晶时产生的缺陷有时多达4个数量级。表面损伤层里有无穷多的载流子复合中心,使光生载流子的寿命大大降低,不可能被P-N结静电场分离。最后致使生产出的成品太阳能电池片中的漏电流过大,影响硅电池片最后整体的转换效率。
因此在单晶硅材料进行太阳能电池片加工前,必须把原始硅片切割过程中引入的损伤层尽可能的减少至最低。
主要用高浓度酸或是碱溶液对硅片表面进行近似抛光地腐蚀。将硅片在切割、研磨和抛光过程中所产生的机械损伤层去除掉。
1.1.2 表面织构化
如何提高硅片转换效率是太阳电池研究的重点,而有效地减少太阳光在硅片表面的反射损失是提高太阳电池转换效率的一个重要方法。在晶体硅太阳能电池表面沉积减反射膜或制作绒面是常用的两种方法,其中在硅片表面制作绒面的方法以其工艺简单、快捷有效而备受青睐。化学腐蚀单晶硅片是根据碱溶液对硅片的[100]和[111
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