ch5-光探测器原理及其系统性能-----光电下变频器原理与性能.pptxVIP

第五章光探测器原理及其系统性能光电下变频器原理与性能几句话光信号经光纤传输到目的端，需要下变频至电频信号。将光频信号下变频至电频信号的器件-----光电探测器。光电探测器属于强度检测器件基于包络检波原理，将光波承载的电信号包络检测出来，完成下变频的功能。电信号的包络检波方式多种多样：无源的有二极管检波；有源的有三极管、运放等；还有单向检波、桥式检波、同步检波等等。光频段的包络检波如何实现？几句话联系到：光本振：注入电流产生激光；探测器：注入激光产生电流？引出可以推测：探测器的工作原理和激光器恰好是相反的探测器的基本原理：吸收激光，输出电流。主要内容光探测器的结构与基本特性非线性高带宽、大饱和功率探测器主要内容光探测器的结构与基本特性非线性高带宽、大饱和功率探测器光探测器的结构与基本特性典型的通信用光电探测器结构有：PINAPDPIN光电探测器 PIN是P型和N型半导体中间夹着一层掺杂很轻的本征半导体(I型半导体) －典型的双异质结结构。PIN光电探测器I区厚度较大，大多数光生载流子集中在该区。载流子在该区强电场作用下，电子向N区漂移，空穴向P区漂移，流到外电路中产生光电流。在I区（空间电荷区）载流子基本耗尽，因此I又称为耗尽区。 光电探测器施加反向电压，因而势垒升高 PIN光电二极管工作原理 此动画为PIN光电二极管工作原理动画。光电探测器的主要性能指标响应波(频)段光子能量低于禁带宽度Eg ，无光电效应—存在截止频率（最低频率）或截止波长（最长波长）。 hυ≥Eg， λc=hc/Eg =1.24/Eg光子能量(频率)过高，材料的吸收系数很大，结果使大量的入射光子在光电二极管的表面层就被吸收。半导体光电二极管的响应波长：λminλλmax。Si光电二极管：0.5~1.0μm；Ge和InGaAs光电二极管：1.1~1.6μm；InGaAsP：0.8~1.6μm。光电探测器的主要性能指标：量子效率光电转换效率：光电效应理想情况是一个光子产生一个电子。入射功率为Pin时，光生电流可以表示为光电转换效率又可写成光电探测器的主要性能指标：响应度量子效率高是接收机高灵敏度的关键。量子效率和响应速度之间存在矛盾： 为了得到较高的量子效率，必须加大耗尽区的宽度，使得可以吸收大部分的光子。 但是，耗尽区越宽，光生载流子漂移渡越反向偏置结的时间就越长。 由于载流子的漂移时间又决定了光电二极管的响应速度/响应时间，所以必须在响应速度和量子效率之间采取折衷。 一般而言，探测器带宽越宽，量子效率会相应降低。例一个PIN光电二极管，它的P接触层厚1um。假设仅仅在耗尽区中（I层）吸收的光子才能有效地转换成光电流。当波长为0.9um时，α=5×104m-1，忽略反射损耗，求： ① 该光电二极管可以得到的最大量子效率？② 为使量子效率达到80%，耗尽区厚度最小应为多少？解： ①②PIN光电探测器R的典型值为：Si@800nm，R=0.64uA/uW；Ge@1.3um，R=0.45uA/uW；InGaAs@1.3um, R=0.6uA/uW 当入射光的功率比较低的情况下，R不随入射光功率的变化而变化；R和波长之间的关系通常被称为探测器的谱响应特性。 PIN光电探测器光电探测器的主要性能指标：响应速度/响应时间响应速度：描述半导体光电二极管产生的光电流跟随入射光信号变化快慢的情况。用响应时间或响应带宽表示。定义： 响应时间：光生电流脉冲前沿由最大幅度的10%上升到90%，或后延由90%下降到10%，分别用脉冲上升时间τr和脉冲下降时间τ f表示。若脉冲上升时间τr和脉冲下降时间τ f相同，则前后沿相同，则光电二极管可用单一时间常数τ 0描述，此时有接近指数函数exp(t/ τ 0 )或exp( -t/ τ 0 )，则：光电探测器的主要性能指标：响应带宽 从频域角度看，响应时间即意味这个器件的带宽，响应时间短，则带宽宽。响应带宽定义： 探测器带宽通常定义为输出信号下降到功率的3dB处的频率。简单的估算法：光电探测器的主要性能指标：暗电流暗电流：在无光情况下，光电探测器的输出电流。热激励、宇宙射线或放射性物质的激励，严格地说，暗电流还应包括器件表面的漏电流。暗电流是光电探测器附加噪声的主要来源，影响光接收机的灵敏度，所以暗电流越小越好。对于PIN管，其暗电流甚小，产生的附加噪声很低，所以对光接收机灵敏度产生的影响并不显著。光电探测器的主要性能指标:噪声噪声是光电探测器很重要的参数，直接影响光接收的灵敏度。噪声：散粒噪声（shot noise）：信号电流和暗电流产生的热噪声：由负载电阻和后继放大器输入电阻产生的噪声的表示方法在1Ω负载上消耗的噪声功率来描述噪声----均方噪声电流→功率噪声等效功率NEP产生等于探测器或接收机均方根噪声的电流所需的输入功率。定义为SNR