硅通孔互连热应力的数值模拟及仿真试验设计.pdfVIP

Numerical simulation and design of experiments of thermo-mechanical stress for through silicon vias interconnect A Dissertation Submitted for the Degree of Master On Material Engineering by Cheng Xu Under the Supervision of Prof. Wugui Jiang School of Aeronautical Manufacturing Engineering Nanchang Hangkong University, Nanchang , China 05, 2012 摘 要 由于3D 芯片集成具有高传输速度和小封装尺寸的优点，作为其关键技术的硅 通孔技术（Through Silicon Vias，简称TSV ），已被广泛应用于微电子系统。而铜 互连线是TSV 技术中典型的互连线之一。本文首先建立了热力耦合的塑性应变梯 度的本构关系，并通过用户子程序 UMAT 嵌入到 ABAQUS 中进行互连结构的热 应力分析，之后基于所建立的本构模型，结合参数化有限元方法和试验设计方法 对TSV 结构进行优化研究。主要工作和结论如下： （1）研究了完全填充铜TSV 和填充聚合物TSV 结构在退火时的热应力分布 情况。结果显示两种TSV 结构可能出现失效区域均集中在铜互连顶部界面处，该 处热应力超过铜的屈服强度。相比完全填充铜TSV 结构，填充聚合物TSV 结构更 可能出现热失配导致的应力失效。 （2 ）建立了热力耦合的塑性应变梯度的本构关系，并通过用户子程序UMAT 嵌入到ABAQUS 中进行互连结构的热应力分析。同时与理想弹塑性互连解析解进 行了对比，结果显示二者轴向应力值较为接近，而解析解所得径向应力则小的多。 在不同通孔半径和通孔结构整体缩小的条件下，铜互连中心和顶部界面处均出现 显著的尺寸效应，即在互连尺寸接近亚微米时，热应力随着半径减小而急剧增加 的现象。通孔半径对静水应力有显著的影响，互连半径小于10 微米时，铜互连中 心位置始终保持较大静水应力，因此在铜互连中心线区域可能出现空洞缺陷，与 实验结果一致。深宽比对硅通孔结构热应力具有显著影响，随着深宽比的增加， 应力集中区域发生变化，当深宽比大于10 时，应力集中区域将由铜互连顶部界面 区域迁移至中心线区域，同时热应力值也大幅度的增加。 （3 ）基于参数化有限元模型对TSV 互连结构进行了试验设计及单设计响应的 优化。基于应变梯度的材料本征效应对TSV 互连结构热力学性能有显著影响，在 对互连结构设计时必须足够重视。对TSV 互连结构进行优化的结果显示，在初始 模型一致的情况下，不同的优化方法会得到不同的最优解，优化技术的选择对优 化结果具有显著影响，同时也说明TSV 结构优化具有多峰性特点，TSV 互连结构 设计空间较大。 关键词：硅通孔；铜互连；尺寸效应；应变梯度；试验设计 I Abstract Through silicon vias (TSVs) technology, as a key technology, has been widely used in microelectromechanical system of three-dimensional (3D) chip integration because of their advantages of high device speed and small package size.