低速84Kr15+,17+离子轰击GaAs单晶 Slow ions 84Kr15+,17+ bombardment on GaAs.pdfVIP

下载本文档

12
0
约2.73万字
约 6页
2017-09-03 发布于湖北
举报
版权申诉

低速84Kr15+,17+离子轰击GaAs单晶 Slow ions 84Kr15+,17+ bombardment on GaAs.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 63, No. 5 (2014) 053201 低速 Kr 离子轰击GaAs单晶杨变杨治虎徐秋梅郭义盼武晔虹宋张勇蔡晓红 1)(中国科学院近代物理研究所, 兰州 730000) 2)(中国科学院大学, 北京 100049) ( 2013 年9 月18 日收到; 2013 年11 月20 日收到修改稿) 用345 keV 的Kr 和340 keV 的Kr 离子以45◦ 角入射n 型GaAs 单晶(100) 面, 测量了表面形貌的变化和发射的375—500 nm Ga I 和Kr II 的特征光谱线. Kr ( , 17) 离子轰击后表面形貌的变化主要取决于入射离子的电荷态. 离子沉积到靶表面的能量引起Ga 原子激发, 其辐射光谱为Ga I 403.2 nm 和 Ga I 417.0 nm. 入射离子中性化过程中俘获GaAs 导带电子形成高激发态原子, 通过级联退激填充3p, 4d 等空穴, P 壳层电子跃迁发射谱线为Kr II 410.0 nm, Kr II 430.4 nm, Kr II 434.0 nm 和Kr II 486.0 nm, Kr II 486.0 nm 为较强谱线. 实验结果表明, 入射离子与GaAs 单晶相互作用发射的可见光产额与入射离子的电荷态密切相关, 较高电荷态Kr 离子入射产生的光辐射产额大约为Kr 离子的两倍. 关键词: 表面形貌, 光谱, 高激发态 PACS: 32.30.Jc, 34.80.Dp, 61.80.Jh DOI: 10.7498/aps.63.053201 1415 . 当入射离子电荷态较低时, 表面附近被俘获 1 引言电子的光辐射跃迁速率比自电离和俄歇跃迁的速率小约6 个数量级16 , 因此光辐射退激过程可以忽 GaAs 单晶是直接带隙半导体材料, 禁带宽度略. 文献[17—20] 从实验上研究了单电荷态离子与大(室温下为1.43 eV), 有较高的发光效率, 其带隙金属表面相互作用的可见光发射. 低速单电荷态离位于红外光范围, 广泛应用于发光二极管、红外光子入射金属表面主要是俄歇中性化过程21 . 高电 12 源、半导体激光器等领域 . 载能离子束引起的荷态离子与表面相互作用的可见光谱主要有两种, 注入、溅射等效应, 推进了GaAs 辐照损伤和GaAs 27 分别为靶原子、靶离子的光辐射和入射离子中性化微波场效应管等器件的研究 . 过程中的跃迁光谱2223 . 目前, 高电荷态离子与固高电荷态离子逼近金属或半导体表面过程中, 体相互作用的研究多集中于高里德堡态原子的电表面极化产生镜像电荷, 使入射离子获得能量增 89