SiCSiO2镶嵌结构薄膜光致发光特性研究.pdfVIP

维普资讯 第7期 电 子 元 件 与 材 料 V_0】．23No．7 2004年 7月 ELECTRONIC COMPONENTS＆ MATERIALS Ju|．20o4 SiC／SiO2镶嵌结构薄膜光致发光特性研究 石礼伟，李玉国，王书运，薛成山，庄惠照 (山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所，山东 济南 250014) 摘要：采用SiC／SiO2复合靶，用射频磁控共溅射技术和高温退火的方法制备了SiC／SiO2纳米镶嵌结构复合薄膜， 并应用傅里叶红外吸收(FTIR)，X射线衍射(XRD)，扫描电镜 (SEM)和光致发光 (PL)实验分析了薄膜的结构、表 面形貌以及光致发光性能。结果表明，样品经高温退火后在SiO2基质中有S