SiH2Cl2-NH3配比对a-SiNxH薄膜PL峰的影响.pdfVIP

维普资讯 第26卷 第4期 发 光 学 报 Vo1．26 No．4 2005年 8月 CHINESE JOURNALOF LUMINESCENCE Aug．，2005 文章编号：1000·7032(2005)04-0502-05 Sill2CI2．NH3配比对 a-SiN ：H薄膜 PL峰的影响 王小波 ，刘渝珍 ，奎热西 ，董立军 ，陈大鹏 (1．中国科学院研究生院，北京 100049； 2．中国科学院 高能物理所，北京 100049 3．中国科学院 微电子研究所 ，北京 100029) 摘要 ：低压化学气相沉积制备的纳米硅镶嵌结构的a．SiN：H薄膜，在3．75eV的激光激发下，室温下发射 1 3个高强度的可见荧光。在相同的沉积温度下 (9oo℃)，选择不同的SillCI和 NH，气体配比时，所得薄 膜表现出不同的荧光属性，荧光峰的峰位和数 目有着显著的变化。通过TEM