一种新型的CMOS兼容高压晶体管与结构.docxVIP

一种新型的CMOS兼容高压晶体管结构摘要：本文主要介绍的是一种基于MOS和双极型晶体管混合设计概念的新型高压晶体管结构——绝缘基底晶体管（IBT）。这种器件可以采用标准的CMOS制作流程实现，并能处理高电流密度而不会出现闩锁效应。与LDMOS（横向双扩散金属氧化物半导体场效应管）相比，IBT能实现的电流密度增长速度是其所能实现的5倍。同时，本文还介绍了一种简单技术，通过该技术，IBT不需要损失太多的电流负载能力而获得近乎一个数量级提升的开关速度的。1.引言电信界和显示器领域都需要各种高电压驱动、击穿电压在100V范围内的晶体管。在这些电路中，高压管基本上只处于输出端，而系统的剩余部分则为低压模拟/数字控制电路。为节约成本和占用面积，高压管必须和低压电路图集成在一个芯片上。很多这种单片应用中，高压MOS管以其在驱动电路上的优势，而超越双极型晶体管，被广泛使用。然而，相较于双极型晶体管的相应部位，高压MOS管的缺点是其电流负载能力相对较低。LDMOS正是适用于高压集成电路（HVIC’s）设备的MOS晶体管的一个典型例子。图1(a)中所示是一种类似于DMOS、采用P阱多晶硅栅极CMOS工艺流程来实现的一种器件的横截面。其源极和沟道区域处于P阱中，而一个位置相对低的掺杂漂移（n-衬底）区域（可抽象成一个阻值为RD的电阻）将n+漏极和沟道分开。该器件的击穿电压由漂移区的浓度和长度所决定。一般