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第 26卷第 2 期 电 子 工 艺 技 术 2005年 3月 　　　　　　　　　　　　　　　E lectron ic s Proce ss Technology　　　　　　　　　　　 75 LTCC基板制造及控制技术 何健锋 (中国电子科技集团公司第 43研究所 ,安徽 　合肥 　230022) ( ) 摘 　要 :低温共烧多层陶瓷 L TCC 基板 ,具有高密度布线 , 内埋无源元件 , IC 封装基板和优 良 的高频特性 , 目前在宇航 、军事 、汽车 、微波与射频通信领域得到广泛运用 ,是 MCM 技术的关键部 件 。本文介绍了 L TCC基板制造的关键技术和性能控制 。 关键词 : 低温共烧陶瓷 ;收缩率 ;通孔金属化 ;盲孔率 中图分类号 : TN 6　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 100 1 - 3474 (2005) 02 - 0075 - 07 L TCC Substra te M anufacture and Con trol HE J ian - feng ( CETC No. 43 Research In stitute, Hefe i　230022, Ch ina) A b stract:L TCC sub strate is of h igh den sity of layou t, embed p a ssive elem en t, IC p ackaging sub sc trate and good p rop erty of h igh frequen tly. Now L TCC is w idely u sed in a stronavigation , m ilitary, au tomo b ile, m icrowave and RF comm un ication. L TCC is the key elem en t of MCM techno logy. In troduce the key m anufactu re techno logy and con tro l of L TCC sub strate. Key words:L TCC; Sh rinkage; TH T m etallization; B lind via D ocum en t Code:A 　　　A rticle ID : 100 1 - 3474 (2005) 02 - 0075 - 07 ( ) 　　现代科技 日新月异 ,宇航 、通信 、数据处理 、汽车 800 ℃～900 ℃ ,通过流延生成生瓷带 ,生瓷带上 领域发展 ,越来越要求电子器件 、组件小型、轻量 、高 金属化布线和通孔金属化 、叠片 、共烧等工艺制成多 性能和高可靠性 ,采用新的高密度组装技术尤为关 层互连基板 。 ( ) 键 , 以减小芯片间互连产生的阻容负载和信号延迟 。 1. 1　L TCC基板可内植 埋 无源元件 新的高密度组装技术的一个关键是高密度多层 L TCC 多层基板技术 , 能将部分无源元件