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第20 卷 第4 期 液 晶 与 显 示 Vol. 20 ，No. 4
2005 年8 月 Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays Aug. ，2005
文章编号：1007-2780 （2005 ）04-0314-04
X 射线衍射分析热处理温度
对透明导电膜结构与导电性能的影响
1 2 1
马 颖 ，韩 薇 ，张方辉
（1. 陕西科技大学 电气与电子工程学院，陕西 咸阳 7 12081，E-mail ：maying@ sust. edu. cn ；
2 . 西安电力电子技术研究所，陕西 西安 7 10061 ）
摘 要：采用溶胶-凝胶法以铟、锡氯化物为前驱物制备不同热处理温度下的ITO 膜，对制备
的ITO 膜样品进行X 射线衍射分析。研究表明热处理温度对ITO 膜的衍射峰相对强度、晶
粒尺寸和晶格常数有较大的影响，随着热处理温度的增加，
ITO 膜随机取向增加，晶粒增大，
晶格常数在400 ℃ 时畸变最小。热处理温度为450 ℃ 时ITO 膜的择优取向较弱，晶粒较大，
晶格畸变较小，
ITO 膜的方阻最小。
关 键 词：ITO 膜；热处理温度；X 射线衍射分析；溶胶-凝胶法
中图分类号：
O484. 4 文献标识码：A
的特点是生产设备简单、工艺过程温度低，易实现
1 引 言
制备多组元且掺杂均匀的材料。
透明导电氧化物（TCO ）薄膜以掺锡氧化铟 以氯化铟和氯化锡为前驱物，采用溶胶-凝胶
（ITO ）薄膜为代表，研究与应用较为广泛和成熟， 法制备ITO 膜，影响该法制备ITO 膜方阻和透光率
［9 ，10 ］
近年来掺铝的氧化锌 （AZO ）薄膜的研究也不断 的因素主要有掺锡浓度、热处理条件等 ，
深入，被认为是最有发展潜力的透明导电材料之 本文主要讨论热处理温度对ITO 膜结构及导电性
一。ITO 透明导电膜（以下简称 ITO 膜）是TCO 能的影响。
膜中的典型代表，为n 型半导体薄膜材料，其半导
2 实 验
化机理为掺杂（掺锡）半导化和组分缺陷（氧空
［1］ ［9 ］
位）半导化 ，具有禁带宽、可见光谱区光透射率 实验研究表明 采用溶胶-凝胶法制备 ITO
高和电阻率低等特性，是目前最具有实际应用价 膜掺锡最佳浓度值为20 % （质量分数），此实验
值的TCO 薄膜，形成了商业生产规模，应用范围 结果与有关溶胶-凝胶法制备ITO 膜的最佳掺杂
广泛。ITO 膜在交通、宇航、国防、建筑工业、太阳 量的理论结果［11］ （Sn ）= 15 . 79 % 基本吻合。实
ω
能、家用电器等领域或行业中有着广泛的应用，尤 验中以InCl ·4 H O 和
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