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2017-09-02 发布于重庆
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AlN多层陶瓷封装-南京电子器件研究所.pdf

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AlN 多层陶瓷封装多层陶瓷封装多层陶瓷封装多层陶瓷封装 AlN Multilayer Ceramic Package 氮化铝（AlN ）的热导率是氧化铝（Al O ）的10 倍，CTE 与硅片匹配，因此AlN 多层陶瓷基板极适于大功率半导体芯片封装及高 2 3 密度封装，特别是作为MCM 封装的基板更具有良好的应用前景。我们可以稳定提供导热系数在150-190W/mK 的AlN 多层陶瓷基板 AlN’s thermal conductivity is 10 times more than Al O ’s, and AlN can match with silicon in CTE. Therefore, AlN multilayer ceramic 2 3 substrates are most suitable for large power semiconductor chip packaging and HDP, especially for MCM. We can stably provide AlN multilayer ceramic substrates with thermal conductivity from 150W/mK to 190W/mK. 主要技术指标如下主要技术指标如下：：主要技术指标如下主要技术指标如下：： 1) 热导率：≥170W/mK； 2) 电阻率：≥1014Ω·cm ； 3) 介电常数：8.8@1MHz ； 4) 介电损耗：0.0005@1MHz ； 5) 热膨胀系数：4.2~4.6*10-6/ ℃； 6) 内层导线方阻：18mΩ/□； 7) 产品最大尺寸：175mm x175mm； 8) 最细线条和线间距： 200µm ； 9) 最小孔径： 200µm ； ASUB01a ALN 基板基板基板基板 ASUB02a ALN 基板基板基板基板