晶体管低频小信号放大倍数测试与探究.pdfVIP

2014． 晶体管低频小信号放大倍数测试与探究 李建华 (北京无仪美达科技有限公司，北京 ，100041) 摘要 ：本文对晶体管h参数低频小信号放大倍数h进行了测试与研究。分析了晶体管直流放大倍数与交流放大倍数的不同， 并用晶体管直流综合参数测试仪及 h参数测试仪分别对直流放大倍数 和低频小信号放大倍数 进行了测试，对测试的结 果进行对 比分析，证明了在晶体管的线性放大区域 h胁 关键词 ：晶体管 ；h ；h ：交流 B ；h参数 Testingandresearchingfortransistorssmall-signalcurrentgain LiJianhua (BeiJingWuyimeidaTechnologyCo．Ltd，100041，BeiJing) Abstract：ThiS paper mainly focuseson the test and research of low—frequency small—signal current gain of h parameters of transistor．Analysis of the meaning of the transistor De current gain and AC current gain， and transistor DC parameter testing instrument and h parameter testing instrument for DC current gain ofh}fand low—frequency small—signal current gain h were tested。compared to the test results．proves that I h，ht=t·at the 1inear area of transistor DC currentgain ． Keywords：transistors； ；向 ：ACbeta；hparameters 0 引言 因此理论上在一定范围内，可以用晶体管的某一直流量下的 来取代在此基础上叠加的低频动态信号时的 即 FE 。 由于现在晶体管的测试要求越来越严格，并且要求全面、智 能、快速、方便的测试晶体管的各种参数，其中晶体管的h参数成 1．2 晶体三极管的共射电流放大倍数 B的频率响 应 为必测内容，因此h参数测试仪也成为了必要的设备。 由晶体三极管的混合 等效模型得出晶体三极管的对数幅 本文介绍一种测试晶体管 lkHz低频小信号放大倍数向的 频特性为 ： 方法以及测试结果与常见的晶体管直流综合参数测试仪测试的 直流放大倍数，? 结果的差异分析与研究。 2吣 2 甜 ㈣ 1 晶体管放大倍数分析与测试 1．1 晶体三极管的共射电流放大倍数