低漏电流功率开关集成电路.pdf

摘要 摘 要 本电路是与某军事科研研究所合作，主要应用于火炮系统的点火装置，具有 重要的军事运用价值。整个电路难度主要在于漏电流和导通电阻的要求比较高。 为此，提出了两种设计方案：单片式和双片式。单片式电路是工作于30V电源电 压的BiCMOS电路，结合合作方工艺条件，自主设计了一种符合本电路各参数 指标要求的工艺流程，并通过工艺模拟软件TSUPREM4验证。 从外延层载流子寿命与晶体管放大倍数，表面复合率与漏电流，以及外延层 载流子寿命与晶体管开关速度等方面对于输出级纵向PNP管进行了较为详细的 设计与分析，达到了电路中对输出级纵向PNP管主要参数指标的要求。同时， 也给出了大面积铺铝的横向PNP管中发射极电极铝条宽度与集电极电流的关系， 称之为“电极扩展增强电流法”。电路的模拟和仿真采用的是Hspice2001．4和 Cadence软件完成。在工艺中，采用了SMART功率集成技术实现电路的大功率， 基区是外延层的纵向PNP晶体管作为输出，将集电极置于芯片背面，采用低电 Editor完成；通 阻率P+衬底作为欧姆接触。绘制版图采用Cadence中的Virtuso 过验证系统DIVA，用自行编写的几何设计规则检查和版图电气原理比较技术文 件完成了本电路的版图验证。检查无误后，进入工艺流片阶段，整个工艺的实施 都在合作方完成。 降低漏电流以及如何防止电路误触发是本课题研究的重点，待BiCMOS工 On Insulator)技术改进本电 艺投片成功后，将进一步研究如何应用SOI(Silicon 路，使其在国防建设的应用更加广泛，将具有重要的政治意义和军事意义。 关键词：漏电流纵向PNP管几何设计规则检查版图电气原理图比较 Abstract The is an withinstituteof projectcoopermed scienticresearch affairs， ofmilitary in in whichis firesetof has value applied artillery military system．Itveryimportant of circuitliesinthe affairs．The this of current difficulty high requirementsleakage and resistance．Forsuch anddouble on design purpose，twoschemes：singlechip is30V havebeen circuitof whose is