硅中Pd-B络合物性质的理论研究78205.pdfVIP

维普资讯 第 l0卷 第 6期 半 导 体 学 报 ． 1D-N “ 6 1989 年 6月 CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUC 】ORS J岫 c， 1’89 硅中 Pd-B络合物性质的理论研究 吴 汲 安 周 洁 (中国科学院半导体研究所，北哀) 张 大 仁 (中国科学院生态 环境科学研究中心，北京) 1988年 3月 u 日收到 本文报道硅中间隙位 Pd和替位B络合物的 趾一SW 自洽计算电子结构的结果．通过与 硅中替位 B的电子结构以及硅 中间隙 Pd 的电子结构比较，我们发琨间隙位 Pd厦子和替位 B原于不形成杂质对能级，通常用来描写间隙位 3 过渡金属和 Ilia族浅受主杂质对的理论 模型——离子模型，不适于处理硅中 Pd—B络台物体系． 主题词 ：硅深能级 、络合物 、电子结构、SW—xa 一 、 引 言 半导体中d电子杂质以其结构上、光学上、电学上和磁学上 比简单的 印 电子杂质或 空位显示出更丰富的有待研究的内容及在工艺技术上的重要性，B起【了人们广泛的兴趣 ． 3 过渡金属杂质在半导体中，尤其是在硅 中的物理行为，已有大量的实验和理论研究 ． 在 4 过渡金属元素中，Pd是研究得最多的一种杂质．通过 DLTS 和 DDLTS测量， 我们在 si：Pd体系中获得六个主要能级： Er：E(o．37)、ErJ：n(o．62)、Erc：n(o．18)、 Ero：E(o．22)、} ：H(O．．6)和 Hrj：H(0．33)MT． 其中 T 和 占T 是与硅 中间隙位 Pd有关的两个能级，并且与杂质B的存在有关 ，它们属于同一中心的不同荷电态．E” 与硅 中间隙位 Pd及硅空位的络合物有关．这三个能级都是别人没有报道过的．E 是 硅 中替位 Pd形起的杂质能级，另外两个杂质能级 HT 和 Hr8分别是 p型硅 中与替位 Pd有关 的施主和受主能级． 硅中 3 过渡金属原子易与其它浅能级杂质或深能级杂质原子形成络合物 ． 实验 上，研究较多的是与 IlIA 族受主杂质 B、Al、Ga、In、T1形成的杂廊 络合物的性质 ． 理论上，一般采用离子模型来处理和分析．按此模型 ，杂质对的稳定组态处理成介质中一 个间隙位过渡金属杂质正离子静 电束缚一个最近邻或次近邻位上替位 【II 族受主杂 质 负离子的经典体系．最近 Assali等 根据硅 中 Fc—B 电子态 自洽计算所得结果 ，对离子 模 型提出 了疑问． ‘屋家 自然科学基金委员台科学基金资助崃越． 维普资讯 6期 吴汲安等 ：硅中 Pd-B络台物性质的理论研究 我们对硅 中4d过渡金属杂质的电子结构做了系统的理论研究，得到了它们在硅 中杂 质行为的一般规律和化学趋势 ．上面 已提到的对 Si：Pd的实验研究表明，硅 中 Pd也 易与 Ilia 族受主杂质 B或硅空位形成络合物．近来，我们在掺 Ru 的硅样品中找到一 个位于价带顶以上 0．34eV的与单纯替位 Ru相应的杂质能级 ，但掺 Rh硅样品的电子 辐照实验结果却表 明 ，硅禁带中不存在单纯的替位 Rh杂质能级，它与间隙氧 以及其它 点缺陷一起形成复杂结构的络合物．一般说来 ，硅 中 过渡金属杂质原子也常常与其它 点缺陷，尤其与 Ill,,／族受主杂质一起形成络合物． 为了更完整地 了解 过渡金属杂质在硅 中的物理行为 ，对它们与硅 中其它点缺陷一 起形成的络合物性质有所认识，我们首先对 硅 中间隙位 族 Pd原子与替位 Ill,／族 B原子构成的络合物的电子结构做了自洽计 算 ，由此来进一步讨论硅 中Pd-B是否形成杂 质对能级，检验离子模型对此体系的适用性． 据我们知道，这是含 4 族杂质络合物 自治计 算结果的首次报道 ．