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第 27 卷 　第 10 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 27 　No . 10 2006 年 10 月 C H IN ES E J O U RN AL O F S EM I CON D U C TO RS Oct . ,2006 PZT 薄膜的制备及其与 MEMS 工艺的兼容性 李俊红 　汪承灏 　黄 　歆 　徐 　联 ( 中国科学院声学研究所 , 北京 　100080) 摘要 : 用溶胶凝胶技术在 Pt/ Ti/ SiO / Si 上制备了 PZT 薄膜 ,并采用剥离技术与热处理的方法解决了 Pt 电极的 2 图形化 ,在结晶热处理前 ,利用 PZT 腐蚀液对 PZT 进行图形化腐蚀. 分别用 SEM ,XRD , EDX 对电极和 PZT 薄膜 的相貌 、相结构以及化学组分进行了分析. 结果表明:所制备的 PZT 薄膜具有完全的钙钛矿型结构 ;这种图形化的工 艺方法大大改善了电极和 PZT 的图形化条件 ,在不影响电极和 PZT 性能的同时 ,提高了电极和 PZT 的图形质量 ;底 电极和 PZT 的图形化过程 ,避免了强酸长时间的腐蚀 ,大大提高了 PZT 薄膜的制备与 MEMS 工艺的兼容性. 关键词 : PZT 薄膜 ; 溶胶凝胶法 ; 兼容性 ; 图形化 EEACC : 2520 中图分类号 : TN 1042 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2006) 与底电极的图形化与 M EMS 工艺的兼容性问题. 1 　引言 2 　实验 ( ) 锆钛酸铅 P Z T 材料是一种性能优良的铁电材 首先在 Si O / Si ( 100) 上甩正性光刻胶 , 用负性 2 料 , 具有较好的铁电、压电、热释电、声光性能, 被广 铬版作为掩膜光刻. 然后在显影后的光刻胶上 , 利用 泛应用于非挥发性铁电存储器[ 1 ] 、微传感器[ 2 , 3 ] 、微 直流磁控溅射设备溅射金属 Ti 以及 Pt , 其中金属 执行器[ 4 ] 、微压 电超声成像换能器[ 5 ] 等方面. 近年 Ti 的作用主要是为了增强金属与基片的附着性. 把 ( ) 来 , 随着微电子机械系统 M EMS 的发展 , P Z T 薄 溅射后的基片放入丙酮中, 利用反刻剥离技术图形 膜被越来越多地应用在微传感器和微执行器中. 化底电极 , 并对图形化后的底电极进行结晶热处理 , 目前 , P Z T 薄膜的制备方法主要有 :溶胶凝胶