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第41 卷 第3 期 电 子 科 技 大 学 学 报 Vol.41 No.3
20 12年5月 Journal of University of Electronic Science and Technology of China May 20 12
Ca(OD) :Cu2+局部结构及自旋哈密顿参量研究
2
1 1,2
李超英 ，杨建荣
(1. 上饶师范学院物理与电子信息学院 江西 上饶 334000; 2. 上海交通大学物理系 上海 闵行区 200240)
9 2+
【摘要】利用离子簇模型，建立了3d 离子在四角对称下的高阶微扰公式，并计算了Ca(OD) :Cu 的自旋哈密顿参量g 因子
2
g 、g 和超精细结构常数A 、A 。在所得的微扰公式中，杂质中心四角畸变对g 因子的贡献用四角晶场参量D 和D 表示。由于
|| ⊥ || ⊥ s t
晶体中顺磁杂质中心的自旋哈密顿参量与其缺陷结构密切相关，计算获得了Cu2+杂质中心缺陷结构信息，即由于Jahn-Teller
效应配体氧八面体沿着四次轴方向的伸长约0.008 3 nm。计算结果表明理论与实验符合较好。
关 键 词 Ca(OD) ; 晶体场; Cu2+ 离子; 电子顺磁共振
2
中图分类号 O737 文献标识码 A doi:10.3969/j.issn.1001-0548.2012.03.016
Theoretical Explanation of the Local Structures and Spin Hamiltonian
Parameters in Ca(OD)2 of the Tetragonal Cu2+ Center
LI Chao-ying1 and YANG Jian-rong1,2
(1. College of Physics and Electronic Information, Shangrao Normal College Shangrao Jiangxi 334000;
2. Department of Physics, Shanghai Jiaotong University Minhang Shanghai 200240)
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