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第 26 卷 第 2 期 无 机 材 料 学 报 Vol. 26 No. 2
2011 年 2 月 Journal of Inorganic Materials Feb. , 2011
文章编号: 1000-324X(2011)02-0175-05 DOI: 10.3724/SP.J.1077.2011.00175
Cu 含量对 BaTiO /Cu 复相陶瓷材料介电性能的影响
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1 1,2 1 1 1
蒲永平 , 许 宁 , 王 博 , 吴海东 , 陈 凯
(陕西科技大学 1. 材料科学与工程学院; 2. 教育部轻化工助剂化学与技术重点实验室, 西安 710021)
摘 要: 用传统固相法制备了(1-x)BaTiO /xCu(x=5 wt%, 10 wt%, 15 wt%, 20 wt%, 25 wt%, 30 wt%)复相陶瓷, 研究了
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Cu 含量对复相陶瓷材料的显微结构、渗流阈值及介电性能的影响. 研究结果表明: BaTiO3/Cu 复相陶瓷材料的电阻
率随着铜含量的增加而下降, 且在渗流阈值(x=25wt%) 附近呈现非线性的下降趋势, 复合材料从绝缘体逐渐变为导
体. 室温下 1 kHz 当Cu 含量达到x=30wt% 时复相陶瓷的介电常数为~9000, 这是由于在导体和绝缘体的相界面处积
累大量的空间电荷, 并由此产生界面极化, 导致介电常数的显著增大, 且随着导体含量的增加, 这种界面效应更加
明显. 复相陶瓷的介电损耗随着铜含量的增加而增大, 但随着频率的升高, 由于空间电荷的减少又会使损耗呈现
下降的趋势. 在 25~115 ℃的温度范围内, 复相陶瓷温度系数小于 5%, 具有很高的介电常数温度稳定性.
关 键 词: BaTiO3/Cu 复相陶瓷; 渗流理论; 介电性能
中图分类号: TB321 文献标识码: A
Effect of Cu Content on Dielectric Properties of BaTiO /Cu Composite Ceramics
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1 1,2 1 1 1
PU Yong-Ping , XU Ning , WANG Bo , WU Hai-Dong , CHEN Kai
(1. School of Materials Sc
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