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太阳电池发展趋势 赵玉文 2) 带硅技术 直接拉制硅片－免去切片损失 (内园切割，刀锋损失300～400 ?m。 线锯切割，刀锋损失～200 ?m)。 过去几十年里开发过多种生长 带硅 或片状硅技术 ① EFG带硅技术 采用石墨模具－电池效率13％－15％。该技术于90年代初实现了商业化生产，目前属于RWE (ASE)公司所有。 ②蹼状带硅技术。 在表面张力的作用下,插在熔硅中的两条枝蔓晶的中间会同时长出一层如蹼状的薄片,所以称为蹼状晶。切去两边的枝晶，用中间的片状晶制作太阳电池。蹼状晶为各种硅带中质量最好,但其生长速度相对较慢。 ③Astropower的多晶带硅制造技术。 该技术基于液相外延工艺，衬底为可以重复使用的廉价陶瓷。实验室太阳电池效率达到 15.6％，该技术实现了小规模的商业化生产。 3. 薄膜太阳电池 3.1 硅基薄膜太阳电池 3.2 化合物半导体薄膜电池 3.3 染料敏化TiO2太阳电池(光化学电池) 3.4 有机电池 3.1 硅基薄膜太阳电池 1)非晶硅(a-Si)太阳电池 a-Si 是Si-H(约10％)的一种合金。 1976年－RCA实验室－D.Carlson和 C.Wronski 优点： ① 资源丰富，环境安全； ② 光的吸收系数高，活性层只需要1?m 厚，省材料； ③ 沉积温度低，成本衬底上，如玻璃、 不锈钢和塑料膜上等。 ④ 电池/组件一次完成，生产程序简单。 缺点： ①效率低 ②不稳定－ 光衰减(S-W效应)。 实验室效率： 初始 稳定 单结： 12％ 6－8％ 双结： 13％ ～10％ 三结： 15.2% ～13％ 商业化电池效率： 单结： 3％～4％ 双结： ～6％ 三结： 7％ ～8％ ◆我国非晶硅电池研究在上世纪80年代中期形成了高潮，30多个研究组从事研究。实验室初始效率8％～10％； ◆80年代后期哈尔滨和深圳分别从美国Chrona公司引进了1MW生产能力的单结非晶硅生产线，稳定效率3％－4％之间。 ◆自90年代后有较大收缩。 ◆2000年，以双结非晶硅电池为重点的硅基薄膜太阳电池研究被列入国家“973”项目，我国非晶硅电池的又进入一个新的研究阶段。目前双结初始实验室效率8％～10％，稳定效率 ～8％? 2) 多晶硅薄膜电池 ① 高温技术路线－以RTCVD为代表－ 优点；薄膜结晶质量好，晶粒尺寸大，容易 作出高效率电池， 缺点：工艺温度高～1000℃，衬底难解决。 衬底材料：陶瓷，石墨，硅片。。。 Fraunhofer研究所－SiO2和SiN包覆陶瓷或SiC包覆石墨为衬底，RTCVD－ZMR，效率分别达到9.3％和11％。 RTCVD－ZMR non-active Si substrate ?=15.12% (北太所) modelling ceramic substrate ?=10.21% (北太所) Particle ribbon Si ?=8.25% (广州能源所＋北太所) ② 低温技术路线－以PECVD为代表 优点：工艺温度低，200～300℃， 衬底容易获得：玻璃，不锈钢等； 缺点：薄膜质量低，晶粒小，纳米极。 日本Kaneka公司－PECVD－玻璃衬底 pin结构的多晶硅薄膜电池，效率10％； 南开大学结合“ 973” 项目－PECVD－ 实验室小面积电池正在研制(~6%)。 澳大利亚Pacific Solar 公司PECVD－玻璃衬底－迭层多晶硅薄膜电池，效率6％。 (