0．13μm GGNMOS管的ESD特性研究.pdfVIP

第9卷 ，第9期 电 子 与 封 装 总 第77期 VoI 9 N O 9 ELECTR0NICS PACKAGING 2009年9月 封 装 、 组 装 与 测 试 0．13 1TIGGNM OS管的ESD特性研究 郭 斌 ，王 东 ，姜玉稀 (1．山西稷山广播电视发展中心，山西 稷山043200 2．巴州 电力公司塔什店火电厂，四川 巴中 636600 3．上海大学 ，上海 200000) 摘 要：当ESD事件发生时，栅极接地NM0s晶体管是很容易被静 电所击穿的。NMOS器件的ESD 保护机理主要是利用该晶体管的骤 回特性 。文章对NMOS管的骤回特性进行 了详细研 究，利用特 殊设计的GGNMOS管实现ESD保护器件 。文章基于0．13um硅化物 CMOS工艺，设计并制作 了各 种具有不同版图参数和不同版图布局的栅极接地NMOS晶体管，通过 TLP测试获得 了实验结果，并 对结果进行 了。分析比较 ，详细讨论 了栅极接地 NM0S晶体管器件的版 图参数和版 图布局对其骤 回特 性的影响。通过这些试验结果，设计者可 以预先估计 GGNMOS在大ESD 电流情况下的行为特性。 关键词 ：静 电泄放 (ESD)；栅极接地NMOS (GGNMOS)；骤回特性 中图分类号：TN305．94 文献标识码 ：A 文章编号：168l-1070(2009)12—0011-06 TheESD Characteris“csResearchof0．13 “m GGNM OS GUOBin，WANGDong，JIANGYu—xi (1．Ra~oandTelevisionDevelopmentCenter，JishanShanxi043200，China；2．TashidianPowerPlantof Bazhoupowerstate，Bazhong636600，China；3．ShanghaiUniversity，Shanghai200000，China) Abstract：GGNMOStransistoriSthemosteasybreakdowndevisewhenESD iShappened．It’SESD protection mechanism basedontheirsnapbackcharacteristics．SOitiSnecessarytoanalysistheirsnapbackcharacteristics todesignaGGNM0SdevicesuitableforESD．Inthispaper,thesnapbackcharacteristicsofmanygate—grounded NMOS (GGNMOS)deviceswithdifferentdevicedimensionsandlayoutfloorplanhavebeendiscussedbased on0．13 um technics．Theresultshavebeenobtainedfrom TLPtest．Throughanalyzedtherelationsbetween snapbackparametersandlayoutparametershaveshown．From theseresults，thecircuitdesignercanpredictthe behaviorsoftheGGNMOSdevicesunderhighESD currentstress． Keywords：electro—staticdischarge (ESD)；gate—groundednmos；snapbackcharacteristics 晶体管的I．V特性曲线如图 1所示，该曲线可以分成