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第 19 卷第 4 期 半 导 体 学 报 . 19, . 4
V o l N o
1998 年 4 月 . , 1998
CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S A p r
2 2 钝化的 表面的同步
S Cl GaA s
辐射光电子能谱研究
胡海天 丁训民 袁泽亮 李哲深 曹先安 侯晓远
( 复旦大学应用表面物理国家重点实验室 上海 200433)
陆尔东 徐世红 徐彭寿 张新夷
( 中国科学技术大学国家同步辐射实验室 合肥 230029)
摘要 前已发现, 将 GaA s ( 100) 晶片浸入S C l 或 S C l + CC l 溶液是实现 GaA s 表面钝化的
2 2 2 2 4
一种有效途径. 用同步辐射光电子能谱研究这种表面能直接测量 S 2p 芯能级谱, 从而揭示,
在浸泡后的表面存在多种形态的含硫化合物. A s S 是其中的主要成分, 但轻度退火就能去
x y
除. 随着退火过程中 S 原子从A s- S 转移到 Ga- S, Ga 3d 谱中始终出现两个与 Ga- S 相关
的分量, 表明稳定的钝化同表面 Ga- S 键的存在联系在一起.
: 7960, 8160 , 7320
PACC C
1 引言
GaA s 是一种具有高电子迁移率的直接带隙半导体材料, 在制作高速器件方面有着极
好的应用前景. 但这种材料固有的高表面态密度和高表面复合速率却又使其上述优点不能
真正得到利用. 近年来发展起来的用含硫化合物浸泡 GaA s 材料或器件、使其表面得到钝
化的技术, 在很大程度上改变了这方面的状况. 一些重要的器件性能参数, 如小电流信号
[ 1 ]
放大倍数, 获得了数十倍的提高 . 迄今为止, 已发现能用于钝化目的的含硫化合物包括
[ 1 ] , ( ) [ 2～ 6 ] , [ 7 ] 等. 其中由本实验室发展起来的 处理方法能达到既去
N a2 S N H 4 2 S S2C l2 S2C l2
[ 8 ]
氧又钝化的效果, 已被成功地用作GaA s 衬底上异质外延其它材料的预处理手段 .
在本文工作中, 我们用同步辐射光电子能谱(SR PES) 对这一新的钝化方法作了进一步
的研究. 同步辐射光源光子能量连续可
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