离子注入诱导量子阱界面混合效应的光致荧光谱研究.pdfVIP

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第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 /! % ## % , , , GH, -/! KH - % =(DP ## ( ) !###I%1#+##+/! #% +#./1I#0 )OM) 82N3JO) 3JKJO) !## OP4? - 8PQ* - 3HD - 离子注入诱导量子阱界面混合效应的光致荧光谱研究! )) ) )) ) ) ) ! ! ! ! ! ! 陈贵宾 陆 卫 缪中林 李志锋 蔡炜颖 沈学础 ) ) ) ) 陈昌明 朱德彰 胡 钧 李明乾 !)(中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 ###$% ) )(中国科学院上海原子核研究所核分析技术开放实验室,上海 #!$## ) ( 年 月 日收到) ##! $ ! 采用多元芯片方法获得了一系列不同离子注入剂量的’()*+),’()* 非对称耦合量子阱单元,通过光致荧光谱 测量,研究了单纯的离子注入导致的界面混合效应 荧光光谱行为与有效质量理论计算研究表明, 原子在异质结 - ), 界面的扩散在离子注入过程中已基本完成,而热退火作用主要是去除无辐射复合中心- 关键词:量子阱,离子注入,光致荧光谱,界面混合 : , , , !## %# %.# $./ 0$# 子的’()*+),’()* 非对称耦合量子阱样品,获得关 ! 引 言 于界面混合的结果- 采用离子注入方法诱导半导体界面处的组分互 实 验 扩散已成为调控半导体异质结结构材料中一些物理 参量的有效方法- 对于’()*+),’()* 异质结构体系, 本实验所用样品是在 :4;7 % 型分子束外延 主要注入离子种类有 ,,, , , 等,其中 ( )系统中生长的 为了减小应变和缺陷, 2 34 5 67 37 )* 2 =6 - ’()* [] ! ( )衬底脱氧后先生长了 缓冲层,再生长 能够快速扩散,容易到达量子阱层较深处 ,注入引 !## /##?@ 起的晶格缺陷也比较小,因此是常用的注入离子- 离 /#?@ ),# A/% ’(# A0 )* 势垒层,然后依次为%?@ ’()* 势 子注入引起的界面混合以及缺陷都对异质结能带结 阱层, 势垒, 势阱,

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