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第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报
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离子注入诱导量子阱界面混合效应的光致荧光谱研究!
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陈贵宾 陆 卫 缪中林 李志锋 蔡炜颖 沈学础
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陈昌明 朱德彰 胡 钧 李明乾
!)(中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 ###$% )
)(中国科学院上海原子核研究所核分析技术开放实验室,上海 #!$## )
( 年 月 日收到)
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采用多元芯片方法获得了一系列不同离子注入剂量的’()*+),’()* 非对称耦合量子阱单元,通过光致荧光谱
测量,研究了单纯的离子注入导致的界面混合效应 荧光光谱行为与有效质量理论计算研究表明, 原子在异质结
- ),
界面的扩散在离子注入过程中已基本完成,而热退火作用主要是去除无辐射复合中心-
关键词:量子阱,离子注入,光致荧光谱,界面混合
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子的’()*+),’()* 非对称耦合量子阱样品,获得关
! 引 言 于界面混合的结果-
采用离子注入方法诱导半导体界面处的组分互 实 验
扩散已成为调控半导体异质结结构材料中一些物理
参量的有效方法- 对于’()*+),’()* 异质结构体系, 本实验所用样品是在 :4;7 % 型分子束外延
主要注入离子种类有 ,,, , , 等,其中 ( )系统中生长的 为了减小应变和缺陷,
2 34 5 67 37 )* 2 =6 - ’()*
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! ( )衬底脱氧后先生长了 缓冲层,再生长
能够快速扩散,容易到达量子阱层较深处 ,注入引 !## /##?@
起的晶格缺陷也比较小,因此是常用的注入离子- 离 /#?@ ),# A/% ’(# A0 )* 势垒层,然后依次为%?@ ’()* 势
子注入引起的界面混合以及缺陷都对异质结能带结 阱层, 势垒, 势阱,
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