基于巨磁电阻位移传感器的固体热胀系数测量.pdfVIP

2o09年 第28卷 第6期 传感器与微系统(TBansduceraIldMicr0systemTechn0loes) 1o7 计算与测试 I( s 、 基于巨磁 电阻位移传感器的固体热胀系数测量 康伟芳 (东北电力大学 理学院，吉林 吉林 132012) 摘 要：介绍磁性纳米多层膜中的自旋极化输运和 巨磁电阻效应 ，利用巨磁电阻传感器和小磁钢设计一 种高灵敏度位移传感器，并精确测量金属的热膨胀系数，测量金属热膨胀系数不确定度一般优于3％． 关键词：自旋极化输运；巨磁电阻；位移传感器；热膨胀系数 中图分类号：0472 文献标识码：A 文章编号：1000—9787(2009)06一O1O7一o3 S0Iidmeasurement0fthermalexpansi0n c0efjficient based0nGMR Sens0r KANGWei—fang (C0IIege0fScience，NortlleastDi卸脏University，Jmn132o12，ChiIla) Abstract：Thespin-pol zedtransportandgiantmagnetoresistanceinmagneticnanomulti1ayersareintIDdueed，a hi ·sensistivitysens0risdesignedbyGMR devicesandsmallmagnet，andthe订nalexpansionc0emcien￡0fmeta】 ismeasuredaccuratdy，metaluncertainty0fmeasuringcoemcientofthe册alexpansionisgenerallylessthan3％． Key、v0rds：spin—polarizedtransp0rt；GMR；displacementsensor；coe伍cient0fthennaIexpansion 0 引 言 中，传导电子在不同外加磁场作用下的自旋极化输运情况 纳米结构及其应用是材料科学和凝聚态物理的一个重 是不同的，图l表示外界磁场为O时，电子的运动状态，其 要领域，其中，一个重大成果是磁性纳米结构中的巨磁电阻 中，白色为源 自极化的铁磁质膜，黑色为非铁磁金属膜。多 效应的发现和自旋器件的应用。最早的报道是 1988年在 层纳米尺度膜中，同一磁层中原子的磁矩沿同一方向排列。 Fe／cr多层结构中发现的巨磁电阻效应 J。20世纪90年 相邻磁层的磁矩反平行排列。一般传导电子分成 自旋方向 代，美国IBM公司成功地将它应用于高密度读写磁头 ，将 向左和向右两组，由于无论哪一种传导电子，在穿过磁矩取 磁盘体积缩小而记录密度提高几十倍，现已进人商品生产 向与其自旋方向相同的一个磁层后都会遇到另一个与其方 阶段。为此，2o07年，费尔和格林贝尔因同时发现巨磁电 向相反的磁层，在宏观上表现为多层膜处于高阻状态。 阻效应而获诺贝尔物理学奖 。 图2是加足够大的外弱磁场后，各磁层磁矩取向变成 巨磁电阻效应在磁传感器等方面也有广阔的应用，如， 与外磁场一致后情况，此时，自旋方向与磁矩取向相同的那 位移传感器 、磁齿轮转速传感器 、电流检测、磁栅尺、磁编码 一 半电子便可顺利通过所有磁层面受到微弱的散射作用。 器、角度传感器、电子罗盘和各种弱磁场测量传感器等。巨 因此 ，有一半传导电子存在一个低阻通导，整个器件电阻为 磁