电子材料与器件工艺-第3章 热氧化.pdfVIP

3.1 3.2 3.3 3.4 3.5 HCl 3.6 LSIVLSI 3.7 3.1 3.1  SiO 2 — — SiSiO 2 SiO HF 2 — — SiO HF— — 2 2. SiO2 0 900 C Si O SiO  2 2  CVD SiH 2O SiO 2H O 4 2 2 2   3.2 SiO2 3.2.1 SiO 2 1SiO 2 (1) SiO 2 Si , (2) 10nm SiO — 2 2 (1) (2) 3SiO 2     3SiO2 SiO2— — SiO2 SiO2B SiO2— — SiO2 ,SiO2P,Na,  Na O + Si-O-Si Si-O- + O--Si + 2Na+ 2  H O + Si-O-Si Si-OH + HO-Si 2 3.2.2 SiO 2 2 1SiO2 2HF SiO 4HF SiF 2H O 2 4 2 SiF 2HF H SiF 4 2 6 3SiO2 1SiO2  SiO2