第5章太阳电池系统及其应用.pptVIP

思考题 1. 说明禁带与禁带宽度的物理意义。从电子在能带填充角度比较半导体与绝缘体的区别。 2. 光被半导体吸收后产生的载流子复合的基本机制有哪几种。分别说明复合机制、并给出对应的复合率的表达式，进一步说明影响该机制复合率的主要因素。 思考题 3. 说明下列图中，两侧纵坐标之间的关系；解释为什么用禁带宽度窄的半导体材料可能获得大的电流。 思考题 4. 在I-V平面分别绘出随正向偏压增加时，二极管的暗电流与太阳电池的光生电流的变化曲线，说明两者的关系。写出用短路电流与饱和暗电流及正向偏压表示的太阳电池光生电流方程。 5. 根据太阳电池输出外特性，描述电池转换效率的定义，并用公式给出理论定义。结合理论公式说明电池外特性的哪些特征将影响电池的效率。 6. 当电池温度为300K时，面积为100cm2的硅电池在100mW/cm2的光照下，开路电压为600mV，短路电流为3.3A。假设电池工作在理想状态，为在最大功率点它的能量转换效率是多少。 （参考题7中的电池理想工作状态下的参数） 思考题 7. 计算太阳电池的转换效率。设Si太阳电池，在AM1日照条件下Jsc=35m A/cm2，J0=10-11 mA/cm2。 注： 电池理想工作状态时的参数 （内阻为0） 思考题 8.硅太阳电池的典型开路电压为0.6V，而GaAs电池的约为1.0V。在绝对与相对两种情况下，试比较两种电池在300K时的开路电压与温度的理论关系（零度时的禁带宽度分别为1.2和1.57eV）。 思考题 9右图为温度对太阳电池转换效率的影响。请对Si与GaAs以温度为横坐标绘出其对电池效率的影响。并根据理论关系讨论所绘结果。 思考题 10. 分别分析下列10因素如何影响太阳电池的转换效率：温度T、复合寿命?、禁带宽度Eg、表面复合寿命S、聚光率、受主浓度Na、施主浓度Nd、电池厚度、串联电阻与电池表面反射率。 思考题 11. （a）光子通量为每秒、单位面积N个光子的单色光入射到半导体表面，其反射率为R。如果半导体在该波长的吸收系数为?，试给出光子通量与进入半导体的深度x之间的关系。 （b） 假设每吸收一个光子产生一对电子空穴对，根据上述参数求出电子-空穴对的产生率G与光穿透半导体的深度的关系。并用图表示光生载流子率随深度变化的关系。 思考题 12. 地面阳光的光子通量约在700nm波长达到最大。利用图示结果，试比较在此波长下光子通量在Si和GaAs中减小到它刚进入半导体时的数目的10%时的深度。