2014年ARM微处理器硬件结构.pptVIP

2）按信息存取方式分类 2.4 存储系统机制 存储器部件的几种分类 随机存取存储器RAM 只读存储器ROM Randomly Access Memory Read Only Memory 掩膜式ROM 可编程只读存储器PROM 可改写的只读存储器EPROM 静态RAM 动态RAM 准静态RAM 按功能分 按信息存储的方式分 * 2.4 存储系统机制 Flash ROM MX 29 LV 040 C T C – 70 G Options: G: Lead-free package R: Restricted VCC(3.0V~3.6V) Q: Restricted VCC(3.0V~3.6V) with Lead-free package Speed: 55: 55ns 70: 70ns 90: 90ns 12: 120ns Temperature range: C: Commercial(0~70oC) I: Industrial(-40~85oC) Vendor: Macronix International Package: Q: PLCC T: TSOP Device: 29: Flash Type: L, LV: 3V Density Mode : 040: 4M, x8 Equal Sector Revision: C * 2.4 存储系统机制 现代SDRAM HY XX X XXX XX X X X XX XX XXX X HYNIX Product Family: 57 　 : sdram 5D : DDR sdram Process Power Supply: V 　 : CMOS, 3V U : CMOS, 2.5V Density Refresh: 4 　 : 4M bits, 1K Ref 16 : 8M bits, 4K Ref Data Width: 40 　 : x4 80 : x8 Bank: 1 　 : 2 Banks 2 : 4 Banks Interface: 0 : LVTTL 1 　 : SSTL 2 : SSTL2 I 　 : Industrial Tempature E : Extended Tempature Speed: 5 　 : 5ns 55 : 5.5ns 5 　 : 6ns 65 : 6.5ns 7 　 : 7ns 75 : 7.5ns Package: TC 　 : 400Mil, TSOPII TQ　 : 100Pin - TQFP Power Consumption: Blank: Normal Power L 　 : Low Power Die Generation: Blank: 1st Generation A 　 : 2nd Generation B : 3rd Generation C : 4th Generation D : 5th Generation * SDRAM: Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步动态随机存取存储器: 同步 是指Memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准； 动态 是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失； 随机 是指数据不是线性依次存储，而是由指定地址进行数据读写。 2.4 存储系统机制 SDRAM * 2.4 存储系统机制 SDRAM 内存芯片存储数据的基本单位是bit(位)，而进行寻址的基本单位则是Byte(字节)，一个Byte就等于8bit。 进行数据读取时， 先进行行的选定， 再进行列的选定， 最后再从这个单元格中读取出所需要的数据。 bank 存储单元数量=行数 × 列数 × Bank的数量 一般M×W的方式来表示芯片的容量（或者说是芯片的规格/组织结构）。 M是该芯片中存储单元的总数，单位是兆（英文简写M，精确值是1048576，而不是1000000）， W代表每个存储单元的容量，也就是SDRAM芯片的位