瞭解场效应电晶体MOSFET崩溃效应.docVIP

瞭解場效應電晶體的崩潰效應在SMPS（Switching Mode Power Supply）及DC-DC轉換器設計中，使用場效應電晶體當作切換開關已經越來越普遍。在設計中為了減少尺寸大小和提升電源密度，其電源操作工作頻率也要求越來越高。如此會造成較高的di/dt產生使得雜散電感效應加諸於場效應電晶體兩端（Drain Source）的瞬間電壓會更加明顯。尤其在電源開機的霎那間，此瞬間電壓會達到最大值。這是由於變壓器一次側電感值相當於漏電感（最小電感值）而且輸出電容完全未充電的狀態所致。幸運的是一般場效應電晶體皆可承受高於某些程度的額定電壓範圍， 在此條件範圍內設計者並不需要增加額外的保護線路以避免不必要的成本支出。此篇文章可帶領各位去判斷何種條件下對場效應電晶體所造成的影響，進而幫助設計者去衡量成本及可靠度以取得最佳的平衡點。1. 評估方式：單一脈衝UIS（Unclamped Inductive Switching）的安全工作範圍　一般評估場效應電晶體的崩潰效應皆以單一脈衝UIS為基準。如圖一所示。此方式簡單的定義了幾個針對被測試元件的基本參數。例如在崩潰時間內所流經場效應電晶體的最大峰值電流（IAS），在UIS開始前的起始接合面溫度（Tj），及崩潰時所經過的時間tAV。將IAS及tAV所對應出來的圖表曲線可提供使用者瞭解此元件針對UIS的表現能力，而提供一個客觀且公正的衡量依據。 2. 過電壓產生的條件在應用上，過電壓產生的條件可分成下列兩種。一種是超過場效應電晶體的最大額定電壓，但是並沒有造成崩潰現象發生。此現象可以藉由計算場效應電晶體接合面的溫度去判斷元件的操作能力。另外一種是指已達到崩潰的標準，並且崩潰已經發生，這個時候 UIS的評估方式可提供分析此種現象的最佳工具。3. 崩潰模式的分析當場效應電晶體進入崩潰效應時Drain及Source電壓會被嵌制在其崩潰電壓，而電流會經由寄生的二極體而產生逆向操作電流的現象。如圖二所示為一典型開關式電源電路所量測到的崩潰現象。從圖中可看出Drain及Source的電壓（CH3）被箝制在1KV而且逆向電流（CH4）可清楚地被發現。 　UIS的評估方式是針對崩潰現象分析的一種很有用的方法。在圖三UIS安全工作區域中可區分為三大區域(1)大於25°C線或者是圖中靠右的區域，(2)低於150°C線或者是圖中靠左的區域，(3)介於(1)與(2)的區域。其中(1)可清楚地瞭解此元件工作超出額定工作範圍之外 (2)則是位於額定工作範圍之內。至於(3)的區域界定 我們需要得到此元件的起始UIS接合面溫度以決定其工作能力。稍後會在後面舉例說明如何求出此接合面溫度。 UIS的評估方式並不限於應用在單一脈衝上，針對連續性脈衝的應用上亦可藉由重疊定理（Super-position）來做分析。在連續性脈衝裡，每一個脈衝皆可視為一個單一脈衝的UIS應用。通常最後一個連續脈衝的發生皆是接合面溫度最高的時候。而這時候也是條件最嚴苛的情況。假使我們可以證明場效應電晶體最後一個連續脈衝的結果可以符合UIS的安全工作區域之內，那麼之前所經過的脈衝一定也在UIS的安全工作區域內。因為之前的接合面溫度一定比最後一個連續脈衝的接合面溫度低。4. 接合面溫度分析一般而言假使Drain及Source電壓超過規格書所載明的最大額定電壓稍大一些，此時要讓場效應電晶體產生崩潰現象其實是不常發生的。圖四所表示的曲線為場效應電晶體的額定最大工作電壓（BVDSS） vs接合面溫度（Tj），其特性的表示是以正溫度特性變化。當接合面溫度達到120°C時，BVDSS可達到將近990V。由此可知，在更高的接合面溫度條件下，場效應電晶體需要更高的Drain對Source的電壓以達到崩潰效應產生的必要條件。 　但這裡必須提醒一件事，圖四所標示的BVDSS是基於250uA的ID電流為條件所定義。在實際崩潰發生時 ID電流遠大於uA 的範圍。 因此，所欲達到的崩潰電壓也會比上述圖四中所推導的電壓要來的大的多。就實際的考量而言，場效應電晶體的實際崩潰電壓一般是額定低電流崩潰電壓的1.3倍。以圖五為例，它所表示的是一個超過最大額定電壓但並未進入崩潰現象的波形，Drain-Source 的電壓已達到668V 600V但並未嵌制於崩潰效應。 但即使此不正常的峰值電壓並未觸發此元件崩潰，我們還是要去評估此場效應電晶體的接合面溫度必須低於額定最大溫度以確保其信賴度及可靠度。在穩態條件下，接合面溫度可由下式導出:Tj = PDx Rθjc + TC ---------- (1)其中Tj : 接合面溫度TC : 外殼溫度PD : 整體功率損耗Rθjc : 穩態條件下 接合面傳導至外殼的熱阻大