含钪阴极发射性能的研究.pdfVIP

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含钪阴极发射性能的研究 王玉春 陆卫元 马静 谢启辉 武元元7李志顺 三乐集团有限公司电子器件研究所 南京 210009 摘要:本文中采用LogU—LogI双对数曲线的偏离点电流密度以及欠热曲线中的阴极特征温度作为阴极 发射性能的参数来考核实验阴极在直流状态下的发射性能。采用掺杂氧化钪在现有M型阴极的基础上 进行改进,可以提高阴极的发射水平,降低阴极特征温度。巾3衄标准阴极的二极管实验表明,改进 后的阴极发射水平有了很大的提高,在L09U—LogI双对数曲线图上,改进后的阴极发射还处在伏安特 性曲线的直线部分,其直流偏离点电流密度一定大于12.86从m2;改进后阴极的特征温度为850℃,阴 极的工作温度在1000℃一1020℃之间。在某管种上的应用结果表明,在工作温度为l000℃时,改进后的 阴极满足管种使用要求。 关键词:偏离点电流密度,特征温度,含钪扩散阴极 1.引言 阴极是真空电子器件的心脏,其性能的优劣直接影响器件的性能。在众多的热阴极材 料中,以钨为基体、碱土金属钡为活性物质的扩散型阴极,在当前各类真空电子器件中位 居首选,应用广泛,并仍在不断的发展。上世纪中期稀土元素sc被引入这种电子发射体, 展示了对扩散阴极发射的明显改进,从而引起了广泛的关注。在此后的二十多年中,世界 各国相继发展了各种变体的含钪扩散阴极,使逸出功最终降低至1.5~1.6电子伏特,在获 得同样电流密度时,比普通钡钨扩散阴极的工作温度下降200℃左右,大大的提高了电子 发射体的性能。目前,含钪扩散阴极种类很多,包括钪酸盐阴极,“顶层型含钪扩散阴 极、钪钨基阴极【l’2捌。目前,我所器件用阴极为M型阴极,经过多年的使用发现阴极的工 作温度都在1050℃~1080℃之间,虽然可以满足正常的生产,但对于性能要求较高的毫米 波和连续波行波管的研制存在一定的难度。为满足毫米波和连续波行波管的科研需要,采 用掺杂氧化钪在现有M型阴极的基础上进行改进,以提高阴极的发射水平,降低阴极的工 作温度。本文采用水冷阳极二极管对巾3mm阴极和某管用阴极的发射性能进行了实验研 ’ 究,并通过某管的正式装管来验证实验结果。 2.实验方法 2.1阴极样品的制备 将一定量的氧化钪用机械混合的方法加入钨基体中,采用模压法制备实验阴极。阴极 经过烧结,浸渍相同批次的生产用铝酸盐。阴极发射体按要求分别加工到相应的尺寸。阴 极表面涂覆厚度为1000埃左右的纯铱膜。 2.2测试结构 本次实验水冷阳极二极管结构示意图如图l所示。为了克服光学高温计800℃以下测温 的困难,该结构中采用铂铑一铂高温热偶测量阴极温度。 2.3发射性能测试 阴极电子学研究中,常用几种参数来表征阴极电子发射特性。例如:在给定阴极温度 下,阴极的零场发射电流密度,偏离点电流密度,拐点电流密度;阴极的理查森逸出功和 347 阴极的特征温度,过渡温度,拐点温度等。作为工艺检验性的测试,要力求简便易操作, 所测参数与实际应用联系紧密,因此阴极发射电流密度、阴极工作温度就成为衡量阴极性 能优劣的常用特征参数。【4’5】在本次实验中,采用LogU—L09I双对数曲线的偏离点电流密 度以及欠热曲线中的阴极特征温度作为阴极发射性能的参数来考核实验阴极在直流状态 下的发射性能。 图1水冷阳极二极管结构示意图 3.结果与讨论 3.1 由3Ilun阴极的发射性能 我们对水冷二极管进行装架和排气后在1050℃工作温度下,直流测试阴极的发射性 能,结果如下: 图2为改进前由3瑚m阴极的发射双对数特征曲线图,图3为改进后巾3瑚m阴极的发 射双对数特征曲线图。 由图2可以看出改进前阴极的伏安特性曲线上已经出现了偏离点,偏离点电流密度为 10.91从m2,而图3显示的改进后的阴极的发射还处在伏安特性曲线的直线部分,其直流偏 离点电流密度一定大于12.86从m2,对比可以看出改进后的阴极发射性能有很大的提高。 348 图2改进前由3mm阴极的发射双对数特征曲线图 图3改进后由3衄阴极的发射双对数特征曲线图

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