[问题]如何计算Kβ滤波片的厚度和Kα的透射率.docVIP

问答荟萃 [问题]如何计算Kβ滤波片的厚度和Kα的透射率? 如果以金属Ni作为CuKβ滤波片，2%的Kβ辐射穿过，请计算：滤波片的厚度和Kα的透射率。 (Ni：ρ= 8.92 g/cm3，μ/ρ(CuKα)= 49.2 cm2/g，μ/ρ（CuKβ）= 286 cm2/g) [解答] 1. Kβ滤波片厚度的计算： 当一束平行的X射线垂直投射到吸收体的表面时，其透射光的强度符合衰减定律（Beer-Lambert定律）： I = I0 exp [-(μ/ρ)ρx] （1） 式中：x为吸收体的厚度，ρ为吸收体的密度，μ/ρ为吸收体对辐射线的质量吸收系数。 将公式（1）整理成log10的形式： log [ I0/I ] = 0.434 [(μ/ρ)ρx] （2） 由条件要求可知：CuKβ之(I0/I)=50。代入公式（2）中得： x = log 50 /(0.434×286×8.92) ∴ x = 15.3μm 2. Kβ辐射透射率2%时，Kα透射率的计算： 滤波片的厚度已确定为15.2μm，则可求算CuKα射线的透射率： log [100 / I ] = 0.434×49.2×8.92×0.00153 log I = log100 - 0.291 I = 101.71 = 51.3 所以，CuKβ滤波片对于CuKα辐射线，其透射率为51.3%　 [问题] 石英的最大面间距是4.26?，低于20o（2θ，CuKα）不应该有衍射峰。为什么我扫描的石英衍射图在低角度（6o）有一个小峰？实验条件是：40kV,20mA。什么是逃逸峰？ [解答] 使用太高的X射线管工作电压电压时，正比或闪烁计数器纪录的衍射图在低角度区可能出现一个小的衍射峰，这就是所谓逃逸峰。逃逸峰将严重干扰低角度衍射峰的正确测量。 逃逸峰产生的原因是这样的：以使用NaI(Tl)检测器为例，因为碘的K吸收限能量为28.5KeV，CuKα的能量为8.0KeV，故使用Cu靶而检测器前没有单色器时，能量≥36.5KeV的连续光谱的衍射线被碘大部分吸收后，其能量衰减为8KeV左右，和CuKα的能量相近，因而可以和CuKα 一样通过脉冲幅度分析器而被测量，生成逃逸峰。能量≥36.5KeV的连续光谱其波长≤0.34?,石英(101)对波长0.34 ?的衍射角为5.8o。因此，当X射线管工作电压电压高于36.5kV时，强的Kα峰的前面常常能观察到逃逸峰。对于正比检测器，也有由于工作介质(Ar、Xe或Kr)受激发而产生逃逸峰的问题。由于这种原因，充Kr检测器甚至不能用来测量MoKαX射线。 正确选择X射线管的工作高压即可避免逃逸峰的产生。为了避免逃逸峰的产生，对于NaI(Tl)检测器X射线管的工作电压应低于（28.5 + 8）KeV，即最高以不超过36KV为宜。 unit cell 按照晶体内部结构的周期性所划分出来的一个个大小和形状完全相同的平行六面体。又名单胞。 晶胞是晶体结构的基本重复单位，是具体的、实际的。将一个个晶胞上、下、前、后、左、右并置起来就构成整个晶体结构。因此，研究晶体的结构可归结为研究一个晶胞的结构。 晶胞的两个基本要素是：晶胞参数和晶胞中原子的坐标参数。前者表示晶胞大小和形状，后者表示晶胞内部各原子的相对位置。有了这两方面的数据，整个晶体的空间结构也就知道了。 晶胞的功分方式有多种，但实际划分时要按下述原则进行：(1) 尽可能体现晶体内部结构的对称性；(2) 尽可能划得小些。氯化钠的立方晶胞如图所示。按晶系规定划分所得的晶胞类型称为正当晶胞 (参见“晶系”)。 晶胞参数 cell parameter 表示晶胞大小和形状的参数：。其中是三个边的长度，分别与沿晶轴方向的三个单位矢量相对应。分别是两个边的夹角，。三个边的长度不一定相等，也不一定互相垂直。 不同晶系选择的正当晶胞形状不同，用来表达的晶胞参数的数目也不同，例如立方晶系用一个即可能性 () (参见“晶系”)。 晶系 crystal system 按晶体的对称性所进行的分类。根据晶体所具有的特征对称元素，可将它们划分为七个晶系，见表。 晶系 特征对称元素 晶胞类型 选晶轴的方法 例子 立方 四个按立方体的对角线取向的三重旋转轴 四个三重轴和立方体的四个对角线平行，立方体的三个边即为的方向与三重轴的夹角为 食盐 六方 六重对称轴 ∥六重轴，∥二重轴或对称面，或选的恰当的晶棱 石墨 四方 四重对称轴 ∥四重对称轴，∥二重轴或对称面或选的晶棱 白锡 三方 三重对称轴 菱面体晶胞 ＜ 选三个与三重轴交成等角的晶棱 方解石 六方晶胞 ∥三重轴，∥二重轴或对称面，或选的晶棱 正交 二个互相垂直的对称面或三个互相垂直的二重对称轴 ∥二重轴或对称面 正交硫