量子点三维受限微腔的研究.pdfVIP

第五届全国光子学大会会议论文集 第七分册：其它 量子点三维受限微腔的研究 徐萍 章昊 （中科院半导体研究所 超晶格国家重点实验室，100083，北京） 摘要：研究了半导体量子微腔对光场的作用，制备了半导体三维受限微腔。 关键词：半导体量子微腔 0 引言： 我们所研究的半导体中的光场限制作用主要是指半导体量子微腔（QMC)对光场的作用。这方面 的工作最早在 1992 年由C. Weisbuch 及其合作者所开创。借助QMC 结构，可以在同一个半导体结 构中同时对激子和光子的性质进行控制；通过改变结构设计，还可以控制激子与光场相互作用的强 度，从而随心所欲地制备出激子与光场处于不同耦合强度的结构。这对于器件方面的应用，如 VCSEL，具有非常重要的意义。 1．半导体量子微腔的基本性质 1．1 半导体量子微腔结构 主要分三部分 上反射镜 腔体 下反射镜 1．2 半导体量子微腔的性质： 由于Fabry-Pérot 腔在纵向（生长方向）限制了光场分布，形成了以λair(即设计发光频率在空气 中的波长）为中心的宽带高反射区，也就是所谓的Stop Band。在Stop Band 两侧的光场强度呈现震 荡衰减的行为；在Stop Band 内，DBR 的反射率为： 150 第五届全国光子学大会会议论文集 第七分册：其它 n  n  2N R 1− 4 ext  L    n n c  H  当腔内生长了量子阱/点后，并且量子阱/点中的激子能量与腔内光子能量接近时，就会产生激子 与腔模的耦合作用。耦合作用分两种：强耦合作用和弱耦合作用。前者指系统状态由激子态与光子 态混合而成，形成极化激元，于是在能量上出现分裂；后者指光场作为微扰，通过Femi 黄金法则引 起电子在不同能态间跃迁，结果是一个激子转化为某一光子态，辐射光子。 当发生强耦合作用时，如果真空Rabi 分裂大于激子模和腔模的线宽，则在两种模式发生反交叉 的时候可以直接在光谱上观测到分裂，这标志着形成了新的元激发——激子极化激元。 Rabi 分裂满足如下关系： 1  f osc N QW  2 ηΩEF ∝   n + 1  V   cavity  其中 Ώ 为Rabi 振荡频率，fosc 为振子强度， NQW 为量子阱数目， Vcavity 对于普通平面 EF 微腔为腔长， 对于三维受限微腔，即为腔体积。 2.量子点三维微腔的研究 三维受限微腔就是在原 来的平面微腔的基础上， 沿纵向向下进行腐蚀，刻 出一个个三维的柱子。为 了能够实现横向限制，需 要腐蚀达到一定的深度，