电化学机械平坦化抛光垫混合软弹流润滑行为数值的研究.pdfVIP

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2017-09-01 发布于安徽
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电化学机械平坦化抛光垫混合软弹流润滑行为数值的研究.pdf

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第48卷第7期 V01．48 机械工程学报 NO．7 2012年4月 Apr． 2012 JOURNALOFMECHANICALENGINEERING DoI：10．3901，JME．2012．07．180 电化学机械平坦化抛光垫混合软弹流润滑行为数值研究木周平郭东明康仁科金洙吉 (大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室大连1 16024) mechanical 、摘要：电化学机械平坦化(Electrochemical 低压力平坦化技术之一，抛光液流动和接触压力的分布是影响ECMP效率和精度的决定性因素。采用混合软弹流润滑模型研究带导电孔ECMP抛光垫表面的流动与接触行为。分析结果表明，对于所研究的抛光垫和晶圆位置关系，尽管宏观平均接触压力为6．895kPa，但是真正影响Cu／low-k结构完整性的局部接触压力达到了近70kPa。此外，导电孔的存在并不影响抛光液压力和接触压力的分布趋势，对晶圆的姿态影响也较小。因此，为了提高加ECMP加工效率和面型精度，一方面需要研究导电孔分布方式控制电化学反应速率，另一方面需要改进其他诸如抛光垫和抛光头的设计，提高接触压力的均匀性。所提出的关于ECMP抛光垫混合软弹流润滑行为研究方法和结论对ECMP技术的进一步发展具有指导意义。关键词：电化学机械平坦化弹流润滑粗糙表面 THll7 中图分类号：TN305 NumericalontheMixedSoft Lubrication Study Elastohydrodynamic BehaviorofECMPPad ZHOU GUO KANGRenkeJIN Ping Dongming Zhuji forPrecisionandNon—traditional of of (KeyLaboratory MachiningTechnologyMinistryEducation， Dalian of l1 UniversityTechnology,Dalian6024) mechanical Abstract：Electrochemical consideredasoneofthemost for potential planarization(ECMP)is planagizaitontechniques Cuflow-kwith surfacelow the ofthe solutionandcontact distributionagethetwo strength,andtransportelectrolyte pressure dominatedfor and