一种功率+VDMOS的HSPICE+宏模型研究.pdfVIP

日期：2006 年 5 月 19 日 摘要 摘 要 功率 VDMOS （垂直双扩散 MOSFET ）以其高输入阻抗、高功率增益、驱动 电路简单和热稳定性好等优点，在高速度和中等功率场合得到了广泛的应用。然 而，HSPICE 模型库中传统的MOSFET 模型都是根据横向结构的小功率MOSFET 工作机理建立的，无法准确模拟垂直结构的功率 VDMOS 的各种特性。针对这一 问题，国内外普遍采用的是宏模型(Macro Model)的方法，即用HSPICE 中已定义 的基本物理模型的组合，来描述功率 VDMOS 器件的等效电路，并将等效电路作 为功率VDMOS 的HSPICE 仿真模型。 论文来源于和美国某著名半导体公司合作的项目。本文在深入分析功率 VDMOS 工作机理的基础上，为其公司最新推出的一款功率 VDMOS 器件建立了 HSPICE 仿真宏模型。此宏模型能在-50℃~125 ℃范围内，准确的模拟功率VDMOS