2014年《微电子学概论》-ch2_MOS场效应晶体管.pptVIP

下一页 上一页 半导体器件物理基础 ——MOS场效应晶体管 场效应管与晶体管的区别 晶体管是电流控制元件；场效应管是电压控制元件。 晶体管参与导电的是电子—空穴，因此称其为双极型器件； 场效应管是电压控制元件，参与导电的只有一种载流子，因此称其为单级型器件。 晶体管的输入电阻较低，一般102 - 104?； 场效应管的输入电阻高，可达109 - 1014? 晶体管的基本结构 MOS场效应晶体管 场效应晶体管 结型场效应晶体管 （JFET） 金属－半导体场效应晶体管 （MESFET） MOS 场效应 晶体管（MOSFET） OUTLINE 结型场效应晶体管 MIS结构 N 基底 ：N型半导体 P P 两边是P区 G(栅极) S源极 D漏极 结构 导电沟道 结型场效应晶体管 P N N G(栅极) S源极 D漏极 P沟道结型场效应管 N P P G(栅极) S源极 D漏极 N沟道结型场效应管 工作原理（以P沟道为例） USD=0V时 UGS P G S D USD N N N N ID PN结反偏，UGS越大则耗尽区越宽，导电沟道越窄。 UGS 对导电性能的影响 UDS=0V时 P G S D USD UGS N N ID N N UGS越大耗尽区越宽，沟道越窄，电阻越大。 但当UGS较小时，耗尽区宽度有限，存在导电沟道。DS间相当于线性电阻。 UGS达到一定值时（夹断电压VT