低温制备pin+非晶硅太阳电池p+型纳米硅窗口层.pdfVIP

第 12 届中国光伏大会暨国际光伏展览会论文（硅薄膜） 低温制备低温制备 pin 非晶硅太阳电池非晶硅太阳电池 p 型纳米硅窗口层型纳米硅窗口层 低温制备低温制备 非晶硅太阳电池非晶硅太阳电池 型纳米硅窗口层型纳米硅窗口层 胡志华，胡志华，李明李明，，杨培智杨培智，，邓书康邓书康，，郝瑞亭郝瑞亭，，王书荣王书荣，，姚朝晖姚朝晖，，孙启利孙启利，，晒旭霞晒旭霞 胡志华胡志华，，李明李明，，杨培智杨培智，，邓书康邓书康，，郝瑞亭郝瑞亭，，王书荣王书荣，，姚朝晖姚朝晖，，孙启利孙启利，，晒旭霞晒旭霞 云南师范大学太阳能研究所 “可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室” 云南师范大学，中国昆明，邮编：650092 摘要：摘要：采用PECVD技术，在较低的衬底温度（〜60℃）条件下沉积掺硼的氢化纳米硅 P掺杂层。 摘要摘要：： 将这种氢化纳米硅 p 层应用到玻璃顶衬的 TCO/p- Si:H (20nm) /i-a-Si:H (350nm) /n-nc-Si:H (30nm) /Al (200nm)单结非晶硅太阳能电池中，结果发现轻微晶化的氢化纳米硅p层的太阳能电池 性能最好。结合氢等离子界面预处理得到电池光电转换效率 9.0％（Voc=0.9V，FF=0.65,J= 15.2 2 mA/cm ）。 关键词：关键词：pin非晶硅太阳电池；P型纳米硅窗口层；低温沉积 关键词关键词：： 1 引言1 引言 更高一些（170℃）。所采用的电池结构为：TCO/p-Si:H 1 1 引言引言 (20nm) /i-a-Si:H (350nm) /n-nc-Si:H (30nm) /Al P 型窗口层对于硅基薄膜太阳电池来说是至关 (200nm)， TCO 选用掺镓的氧化锌（ZnO:Ga，又称 重要的[1,2]，因为p-i 界面是p-i-n 结构的核心。就非 ZGO ），而不是通常选用的 SnO2 或 ITO 。后者被证 晶硅薄膜太阳电池的发展而言，其中一个很重要的 实在大功率和高氢稀释条件下会有还原退化现象发 进展就是把碳引入氢化非晶硅太阳电池的 p 型窗口 生。 2 实验2 实验 层制备中。这是在 1979 由日本大阪大学的研究小组 2 2 实验实验 [3] 采用传统的多腔电容耦合式射频等离子体增 创造的 。之后，非晶硅薄膜太阳电池研究中相当 多的努力集中在P 型窗口层。然而，少见将不含碳 强化学汽相沉积（RF-PECVD ）系统来制备超薄掺 硅薄膜 p 型窗口层应用到玻璃顶衬的 pin 非晶硅薄 硼的氢化纳米硅薄膜，依据以下实验条件：射频功 2 膜太阳能电池。Hamma 和 P. Roca 曾对此有过一些 率密度(~1W/cm )，气压(~200 Pa)和不同的氢稀释比 研究[4] 。 （150，100 和 50 ）。选用涂有 ZGO 导电薄膜的玻 目前，顶衬（superstrate ）结构非晶硅太阳电 璃，用 SiH4，H 2 和 B2H 6 混合气体在较低的衬底 池 p 型窗口层大多采用引入甲烷（CH4 ）以求得到 温度下（60℃）制备p 层。本征层和 n 型层的沉积 宽的光学带隙