聚偏氟乙烯压电薄膜制备及结构.pdfVIP

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2017-09-01 发布于安徽
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聚偏氟乙烯压电薄膜制备及结构.pdf

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第19卷第3期材料研究学报 V01．19No．3 2 0 CHINESEJOURNAL0FMATERIALSRESEARCHJune2005 0 5年6月聚偏氟乙烯压电薄膜的制备及结构傅万里杜丕一翁文剑韩高荣 (浙江大学硅材料国家重点实验室) 摘要采用溶液浸渍提拉法制备了p型PVDF压电聚合物薄膜，采用x衍射、扫描电镜等手段测定了PVDF薄膜的物相结构，结晶形态及薄膜厚度等．结果表明，基板的诱导作用使PVDF在较低温度下结晶形成极性的正交相p晶，在较高温度下结晶形成非极性的单斜相Q晶．在低温下得到的PVDF薄膜中p晶呈典型的球晶结构，晶粒粒径随着膜厚的增加而增大，晶体颗粒的堆积疏松，薄膜致密性差；在较高温度下形成的Q晶相，以二维生长为主，晶粒大小随着膜厚的增加基本上保持不变，Q晶颗粒间接触紧密，薄膜致密性好．关键词有机高分子材料，卢晶型PVDF薄膜，浸渍提拉法，结晶形态分类号0631 andstructureofPVDF 6lm Preparation piezoelectric FUWanli HAN DUPiyr+WENGWbll．jian Gaorong (＆oteKeⅣL口6o，＆2icD佗讹tenozs，Zhe靠on口Uh伽er3记弘且帆口加Du3JDD2∞ 木 NationalNatural FbundationofChinaNond Supportedby Science andDoctoral Fbundationof ofEducation No De盯eePro昏am Ministry No．20020335017．ManuscriptreceivedMay revi8edform0ctober 31，2004；in 8，2004．木事’I、owhomcorrespondenceshouldbeaddressed，Tbl：(0571 E广_mail：dupy@zju．edu．cn ABSTRACTPiezoelectricandferroeleCtricf．1mofPVDFwas poIymer successfuIlypreparedby fjhll method．The andthjcknessofthe were dip—coating phasestatus．crystaImDrphoJogy when XRDandSEM．Thinf．Imwith orthorhombic formed bv poIar cryStaI．pphase．is at monocIinic formedat cryStaI|ization60℃：whilenon—poIar crystaI，nphase．is 150℃．pcrystaI